STH360N4F6-2 - аналоги и даташиты транзистора

 

STH360N4F6-2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STH360N4F6-2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1560 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00125 Ohm
   Тип корпуса: H2PAK-2
 

 Аналог (замена) для STH360N4F6-2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH360N4F6-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:353K  st
 sth360n4f6-2.pdf pdf_icon

STH360N4F6-2

STH360N4F6-2N-channel 40 V, 180 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in HPAK-2 packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDTABSTH360N4F6-2 40 V

Другие MOSFET... STH275N8F7-2AG , STH275N8F7-6AG , STH310N10F7-2 , STH310N10F7-6 , STH315N10F7-2 , STH315N10F7-6 , STH320N4F6-2 , STH320N4F6-6 , IRFB7545 , STH3N150-2 , STH400N4F6-2 , STH400N4F6-6 , STH7NA90FI , STH80N10F7-2 , STH8NA80FI , IRHG567110 , IRHG57110 .

History: IXFH110N15T2

 

 
Back to Top

 


 
.