Справочник MOSFET. STH360N4F6-2

 

STH360N4F6-2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STH360N4F6-2
   Маркировка: 360N4F6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 340 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1560 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00125 Ohm
   Тип корпуса: H2PAK-2

 Аналог (замена) для STH360N4F6-2

 

 

STH360N4F6-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:353K  st
 sth360n4f6-2.pdf

STH360N4F6-2 STH360N4F6-2

STH360N4F6-2N-channel 40 V, 180 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in HPAK-2 packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDTABSTH360N4F6-2 40 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top