STH360N4F6-2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STH360N4F6-2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 1560 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00125 Ohm

Тип корпуса: H2PAK-2

Аналог (замена) для STH360N4F6-2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH360N4F6-2 даташит

 ..1. Size:353K  st
 sth360n4f6-2.pdf pdf_icon

STH360N4F6-2

STH360N4F6-2 N-channel 40 V, 180 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in H PAK-2 package Datasheet - preliminary data Features Order code VDSS RDS(on) max ID TAB STH360N4F6-2 40 V

Другие IGBT... STH275N8F7-2AG, STH275N8F7-6AG, STH310N10F7-2, STH310N10F7-6, STH315N10F7-2, STH315N10F7-6, STH320N4F6-2, STH320N4F6-6, 60N06, STH3N150-2, STH400N4F6-2, STH400N4F6-6, STH7NA90FI, STH80N10F7-2, STH8NA80FI, IRHG567110, IRHG57110