IXFR24N50Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFR24N50Q  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXFR24N50Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFR24N50Q даташит

 ..1. Size:78K  ixys
 ixfr24n50q ixfr26n50q.pdf pdf_icon

IXFR24N50Q

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 26N50Q 500 V 24 A 0.20 ISOPLUS247TM IXFR 24N50Q 500 V 22 A 0.23 (Electrically Isolated Back Surface) trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode High dV/dt, Low t , HDMOSTM Family rr Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C

 5.1. Size:33K  ixys
 ixfr24n50 ixfr26n50.pdf pdf_icon

IXFR24N50Q

Advanced Technical Information VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 26N50 500 V 24 A 0.20 W ISOPLUS247TM IXFR 24N50 500 V 22 A 0.23 W (Electrically Isolated Back Surface) trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode High dV/dt, Low trr, HDMOSTM Family ISOPLUS 247TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 50

 7.1. Size:94K  ixys
 ixfr24n80p.pdf pdf_icon

IXFR24N50Q

IXFR 24N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 13 A Power MOSFET RDS(on) 420 m (Electrically Isolated Back Surface) trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 (IXFR) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RG

 7.2. Size:112K  ixys
 ixfr24n100.pdf pdf_icon

IXFR24N50Q

HiPerFETTM Power VDSS = 1000V IXFR24N100 ID25 = 22A MOSFET RDS(on) 390m ISOPLUS247TM t 250ns (Electrically Isolated Back Surface) rr N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated ISOPLUS247 E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1000 V VGSS Co

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXFR120N20, IXFR12N100Q, IXFR15N80Q, IXFR180N07, IXFR180N085, IXFR180N10, IXFR24N100, IXFR24N50, IRFB4115, IXFR26N50, IXFR26N50Q, IXFR30N50Q, IXFR32N50Q, IXFR50N50, IXFR55N50, IXFR58N20Q, IXFR80N20Q