IRHNA7460SE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRHNA7460SE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
Тип корпуса: SMD-2
Аналог (замена) для IRHNA7460SE
IRHNA7460SE Datasheet (PDF)
irhna7460se.pdf

PD - 91399BRADIATION HARDENED IRHNA7460SEPOWER MOSFET 500V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) I D IRHNA7460SE 100K Rads (Si) 0.32 20ASMD-2International Rectifiers RADHardTM HEXFET MOSFETtechnology provides high performance power MOSFETsfor space applications. This technology has over a
irhna7360se.pdf

PD-91398BRADIATION HARDENED IRHNA7360SEPOWER MOSFET 400V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) I D IRHNA7360SE 100K Rads (Si) 0.20 24ASMD-2International Rectifiers RADHardTM HEXFET MOSFETtechnology provides high performance power MOSFETsFeatures:for space applications. This technology ha
irhna7264se.pdf

PD - 91432CRADIATION HARDENED IRHNA7264SEPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) I D IRHNA7264SE 100K Rads (Si) 0.11 34ASMD-2International Rectifiers RADHardTM HEXFET MOSFETtechnology provides high performance power MOSFETsFeatures:for space applications. This technology
irhna7z60.pdf

PD - 91708BRADIATION HARDENEDIRHNA7Z60POWER MOSFET30V, N-CHANNELSURFACE MOUNT(SMD-2) RAD-Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA7Z60 100K Rads (Si) 0.009 75*A IRHNA3Z60 300K Rads (Si) 0.009 75*A IRHNA4Z60 600K Rads (Si) 0.009 75*A IRHNA8Z60 1000K Rads (Si) 0.009 75*ASMD-2International Rectifiers RADHard HE
Другие MOSFET... IRHNA57260 , IRHNA597160 , IRHNA67160 , IRHNA67164 , IRHNA67260 , IRHNA67264 , IRHNA7264SE , IRHNA7360SE , AON7410 , IRHNA7Z60 , IRHNB7264SE , IRHNJ57234SE , IRHNJ67434 , IRHNJ67C30 , IRHNJ9230 , IRHNM57214SE , IRHSLNA57064 .
History: IRC8405 | APQ04SN60AF | STU03L07 | IRFP044 | DH019N04
History: IRC8405 | APQ04SN60AF | STU03L07 | IRFP044 | DH019N04



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD | SLD80N02TB | SLD65R600E7C | SLD65R380E7C | SLD65R280E7C | SLU4N65U | SLT70R180E7C | SLT65R180E7C | SLP730S | SLP65R380E7C | SLP65R1K2E7
Popular searches
c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a