Справочник MOSFET. IRHNA7460SE

 

IRHNA7460SE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHNA7460SE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 220 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
   Тип корпуса: SMD-2
 

 Аналог (замена) для IRHNA7460SE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHNA7460SE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  international rectifier
 irhna7460se.pdf pdf_icon

IRHNA7460SE

PD - 91399BRADIATION HARDENED IRHNA7460SEPOWER MOSFET 500V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) I D IRHNA7460SE 100K Rads (Si) 0.32 20ASMD-2International Rectifiers RADHardTM HEXFET MOSFETtechnology provides high performance power MOSFETsfor space applications. This technology has over a

 8.1. Size:178K  international rectifier
 irhna7360se.pdf pdf_icon

IRHNA7460SE

PD-91398BRADIATION HARDENED IRHNA7360SEPOWER MOSFET 400V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) I D IRHNA7360SE 100K Rads (Si) 0.20 24ASMD-2International Rectifiers RADHardTM HEXFET MOSFETtechnology provides high performance power MOSFETsFeatures:for space applications. This technology ha

 8.2. Size:119K  international rectifier
 irhna7264se.pdf pdf_icon

IRHNA7460SE

PD - 91432CRADIATION HARDENED IRHNA7264SEPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) I D IRHNA7264SE 100K Rads (Si) 0.11 34ASMD-2International Rectifiers RADHardTM HEXFET MOSFETtechnology provides high performance power MOSFETsFeatures:for space applications. This technology

 8.3. Size:121K  international rectifier
 irhna7z60.pdf pdf_icon

IRHNA7460SE

PD - 91708BRADIATION HARDENEDIRHNA7Z60POWER MOSFET30V, N-CHANNELSURFACE MOUNT(SMD-2) RAD-Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA7Z60 100K Rads (Si) 0.009 75*A IRHNA3Z60 300K Rads (Si) 0.009 75*A IRHNA4Z60 600K Rads (Si) 0.009 75*A IRHNA8Z60 1000K Rads (Si) 0.009 75*ASMD-2International Rectifiers RADHard HE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: WMK071N15HG2 | SIHG17N60D | AP9T16GJ

 

 
Back to Top

 


 
.