IRF034 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF034  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF034

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF034 даташит

 ..1. Size:144K  international rectifier
 irf034.pdf pdf_icon

IRF034

PD - 90585 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF034 HEXFET TRANSISTORS 60V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF034 60V 0.050 25 The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design a

Другие IGBT... IRHNJ67434, IRHNJ67C30, IRHNJ9230, IRHNM57214SE, IRHSLNA57064, IRHSLNA57Z60, IRHSNA57064, IRHSNA57Z60, CS150N03A8, IRF044SMD, IRF054SMD, IRF100B201, IRF100B202, IRF100S201, IRF1010A, IRF1010ELPBF, IRF1010EPBF