IRF034 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRF034
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: TO3
IRF034 Datasheet (PDF)
irf034.pdf
PD - 90585 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF034 HEXFET TRANSISTORS 60V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF034 60V 0.050 25 The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design a
Другие MOSFET... IRHNJ67434 , IRHNJ67C30 , IRHNJ9230 , IRHNM57214SE , IRHSLNA57064 , IRHSLNA57Z60 , IRHSNA57064 , IRHSNA57Z60 , NCEP15T14 , IRF044SMD , IRF054SMD , IRF100B201 , IRF100B202 , IRF100S201 , IRF1010A , IRF1010ELPBF , IRF1010EPBF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet


