IRF044SMD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF044SMD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: SMD1

Аналог (замена) для IRF044SMD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF044SMD даташит

 ..1. Size:21K  semelab
 irf044smd.pdf pdf_icon

IRF044SMD

IRF044SMD SEME LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET VDSS 60V ID(cont) 34A RDS(on) 0.040 FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OF PCB SPACE. SIMPL

 8.1. Size:144K  international rectifier
 irf044.pdf pdf_icon

IRF044SMD

PD - 90584 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF044 60V, N-CHANNEL HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF044 60V 0.028 44 The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design

Другие IGBT... IRHNJ67C30, IRHNJ9230, IRHNM57214SE, IRHSLNA57064, IRHSLNA57Z60, IRHSNA57064, IRHSNA57Z60, IRF034, AON7506, IRF054SMD, IRF100B201, IRF100B202, IRF100S201, IRF1010A, IRF1010ELPBF, IRF1010EPBF, IRF1010ESPBF