Справочник MOSFET. IRF100B201

 

IRF100B201 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF100B201
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 441 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 192 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 97 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для IRF100B201

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF100B201 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:617K  international rectifier
irf100b201 irf100s201.pdfpdf_icon

IRF100B201

StrongIRFET IRF100B201 IRF100S201 Application HEXFET Power MOSFET Brushed Motor drive applications BLDC Motor drive applications D VDSS 100V Battery powered circuits Half-bridge and full-bridge topologies RDS(on) typ. 3.5m Synchronous rectifier applications G max 4.2m Resonant mode power supplies S OR-ing

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
irf100b201.pdfpdf_icon

IRF100B201

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF100B201 IIRF100B201FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 4.2mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MA

 5.1. Size:529K  international rectifier
irf100b202.pdfpdf_icon

IRF100B201

StrongIRFET IRF100B202 Application HEXFET Power MOSFET Brushed Motor drive applications BLDC Motor drive applications D VDSS 100V Battery powered circuits Half-bridge and full-bridge topologies RDS(on) typ. 7.2m Synchronous rectifier applications G max 8.6m Resonant mode power supplies S OR-ing and redundan

 5.2. Size:245K  inchange semiconductor
irf100b202.pdfpdf_icon

IRF100B201

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF100B202IIRF100B202FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 8.6mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

Другие MOSFET... IRHNM57214SE , IRHSLNA57064 , IRHSLNA57Z60 , IRHSNA57064 , IRHSNA57Z60 , IRF034 , IRF044SMD , IRF054SMD , IRF1407 , IRF100B202 , IRF100S201 , IRF1010A , IRF1010ELPBF , IRF1010EPBF , IRF1010ESPBF , IRF1010EZLPBF , IRF1010EZPBF .

History: SIA414DJ | IRF7201 | FXN5N65FM | SL8205S | H2302 | CEB02N9 | 2N6764JANTX

 

 
Back to Top

 


 
.