IRF1010ZSPBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF1010ZSPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IRF1010ZSPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF1010ZSPBF даташит

 ..1. Size:399K  international rectifier
 irf1010zlpbf irf1010zpbf irf1010zspbf.pdf pdf_icon

IRF1010ZSPBF

PD - 95361A IRF1010ZPbF IRF1010ZSPbF IRF1010ZLPbF Features l Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance l 175 C Operating Temperature D l Fast Switching VDSS = 55V l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free RDS(on) = 7.5m G Description ID = 75A This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest S processing techniques to achieve extr

 5.1. Size:268K  international rectifier
 auirf1010zstrl.pdf pdf_icon

IRF1010ZSPBF

PD - 97458A AUIRF1010Z AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1010ZS AUIRF1010ZL Features Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance D 175 C Operating Temperature V(BR)DSS 55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to RDS(on) max. 7.5m Tjmax G Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 94A Automotive Qualified * S

 5.2. Size:752K  infineon
 auirf1010z auirf1010zs auirf1010zl.pdf pdf_icon

IRF1010ZSPBF

AUIRF1010Z AUIRF1010ZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1010ZL Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 55V Ultra Low On-Resistance RDS(on) max. 7.5m 175 C Operating Temperature Fast Switching ID (Silicon Limited) 94A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive

 5.3. Size:252K  inchange semiconductor
 irf1010zs.pdf pdf_icon

IRF1010ZSPBF

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1010ZS FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMU

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF1010EZPBF, IRF1010EZSPBF, IRF1010H, IRF1010NLPBF, IRF1010NPBF, IRF1010NSPBF, IRF1010ZLPBF, IRF1010ZPBF, IRF2807, IRF1018EPBF, IRF1018ESLPBF, IRF1018ESPBF, IRF1104PBF, IRF120, IRF121, IRF122, IRF123