IRF1010ZSPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRF1010ZSPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 63 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для IRF1010ZSPBF
IRF1010ZSPBF Datasheet (PDF)
irf1010zlpbf irf1010zpbf irf1010zspbf.pdf

PD - 95361AIRF1010ZPbFIRF1010ZSPbFIRF1010ZLPbFFeaturesl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistancel 175C Operating Temperature Dl Fast Switching VDSS = 55Vl Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmaxl Lead-FreeRDS(on) = 7.5mGDescriptionID = 75AThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latest Sprocessing techniques to achieve extr
auirf1010zstrl.pdf

PD - 97458AAUIRF1010ZAUTOMOTIVE GRADEAUIRF1010ZSAUIRF1010ZLFeatures Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceD 175C Operating TemperatureV(BR)DSS55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up toRDS(on) max.7.5mTjmaxG Lead-Free, RoHS CompliantID (Silicon Limited)94A Automotive Qualified *S
auirf1010z auirf1010zs auirf1010zl.pdf

AUIRF1010Z AUIRF1010ZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1010ZL Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 55V Ultra Low On-Resistance RDS(on) max. 7.5m 175C Operating Temperature Fast Switching ID (Silicon Limited) 94A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive
irf1010zs.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF1010ZSFEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMU
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1008PK | JMSH1008PGQ | JMSH1008PG | JMSH1008PE | JMSH1008PC | JMSH1008AKQ | JMSH1008AGQ | JMSH1008AG | JMSH1008AE | JMSH1008AC | JMSH0606PU | JMSH0606PK | JMSH0606PGQ | JMSH0606PGDQ | JMSH0606PGD | JMSH0606PG
Popular searches
a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet