IRF1018EPBF - описание и поиск аналогов

 

Аналоги IRF1018EPBF. Основные параметры


   Наименование производителя: IRF1018EPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 79 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для IRF1018EPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF1018EPBF даташит

 ..1. Size:429K  international rectifier
irf1018epbf irf1018eslpbf irf1018espbf.pdfpdf_icon

IRF1018EPBF

PD - 97125 IRF1018EPbF IRF1018ESPbF IRF1018ESLPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in D SMPS VDSS 60V l Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 7.1m l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits G max. 8.4m ID 79A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness D D D l

 ..2. Size:429K  international rectifier
irf1018epbf irf1018espbf irf1018eslpbf.pdfpdf_icon

IRF1018EPBF

PD - 97125 IRF1018EPbF IRF1018ESPbF IRF1018ESLPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in D SMPS VDSS 60V l Uninterruptible Power Supply RDS(on) typ. 7.1m l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits G max. 8.4m ID 79A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness D D D l

 6.1. Size:658K  infineon
auirf1018es.pdfpdf_icon

IRF1018EPBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1018ES HEXFET Power MOSFET Features VDSS 60V Advanced Process Technology RDS(on) typ. Ultra Low On-Resistance 7.1m 175 C Operating Temperature max. 8.4m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 79A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D Description Specifically designed fo

 6.2. Size:156K  infineon
auirf1018e.pdfpdf_icon

IRF1018EPBF

International Rectifier Product Detail Page Page 1 of 2 Part Se AUIRF1018E Part Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package Description Support Docs N/A Commercial Datasheet Reliability Report Automotive Market IR serves the automotive market with a dedicated product portfolio, with high quality and automotive certified development, manufact

Другие MOSFET... IRF1010EZSPBF , IRF1010H , IRF1010NLPBF , IRF1010NPBF , IRF1010NSPBF , IRF1010ZLPBF , IRF1010ZPBF , IRF1010ZSPBF , STF13NM60N , IRF1018ESLPBF , IRF1018ESPBF , IRF1104PBF , IRF120 , IRF121 , IRF122 , IRF123 , IRF1302S .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.