IRF1104PBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF1104PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 114 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для IRF1104PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF1104PBF даташит

 ..1. Size:185K  international rectifier
 irf1104pbf.pdf pdf_icon

IRF1104PBF

PD - 94967 IRF1104PbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance VDSS = 40V l Dynamic dv/dt Rating l 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.009 l Fast Switching G l Fully Avalanche Rated ID = 100A l Lead-Free S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extreme

 7.1. Size:101K  international rectifier
 irf1104.pdf pdf_icon

IRF1104PBF

PD- 9.1724A IRF1104 PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 40V Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.009 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 100A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-

 7.2. Size:208K  international rectifier
 irf1104l.pdf pdf_icon

IRF1104PBF

PD -91845 IRF1104S/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 40V Surface Mount (IRF1104S) Low-profile through-hole (IRF1104L) RDS(on) = 0.009 175 C Operating Temperature G Fast Switching ID = 100A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing technique

 7.3. Size:208K  international rectifier
 irf1104s.pdf pdf_icon

IRF1104PBF

PD -91845 IRF1104S/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 40V Surface Mount (IRF1104S) Low-profile through-hole (IRF1104L) RDS(on) = 0.009 175 C Operating Temperature G Fast Switching ID = 100A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing technique

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF1010NPBF, IRF1010NSPBF, IRF1010ZLPBF, IRF1010ZPBF, IRF1010ZSPBF, IRF1018EPBF, IRF1018ESLPBF, IRF1018ESPBF, 8N60, IRF120, IRF121, IRF122, IRF123, IRF1302S, IRF130SMD, IRF130SMD05, IRF130SMD05DSG