Справочник MOSFET. IRF1104PBF

 

IRF1104PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF1104PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 93 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 114 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для IRF1104PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF1104PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  international rectifier
 irf1104pbf.pdf pdf_icon

IRF1104PBF

PD - 94967IRF1104PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Ultra Low On-ResistanceVDSS = 40Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.009l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 100Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to achieve extreme

 7.1. Size:101K  international rectifier
 irf1104.pdf pdf_icon

IRF1104PBF

PD- 9.1724AIRF1104PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 40V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.009 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 100A SDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to achieve extremely low on-

 7.2. Size:208K  international rectifier
 irf1104l.pdf pdf_icon

IRF1104PBF

PD -91845IRF1104S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 40V Surface Mount (IRF1104S) Low-profile through-hole (IRF1104L)RDS(on) = 0.009 175C Operating TemperatureG Fast SwitchingID = 100A Fully Avalanche RatedSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilizeadvanced processing technique

 7.3. Size:208K  international rectifier
 irf1104s.pdf pdf_icon

IRF1104PBF

PD -91845IRF1104S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 40V Surface Mount (IRF1104S) Low-profile through-hole (IRF1104L)RDS(on) = 0.009 175C Operating TemperatureG Fast SwitchingID = 100A Fully Avalanche RatedSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilizeadvanced processing technique

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXFK100N10 | IPW65R190CFD | SIHS20N50C

 

 
Back to Top

 


 
.