Справочник MOSFET. IRF122

 

IRF122 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF122
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для IRF122

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF122 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  fairchild semi
 irf120 irf121 irf122 irf123 mtp10n08.pdf pdf_icon

IRF122

 9.1. Size:50K  international rectifier
 irf1205.pdf pdf_icon

IRF122

PD - 93803PROVISIONALIRF1205HEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Dynamic dv/dt RatingVDSS = 55V 175 C Operating Temprature Fast SwitchingRDS(on) = 0.027 Fully Avalanche RatedGID = 41A SDescriptionFifth Generation MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area

 9.2. Size:1313K  cn sps
 smirf12n65.pdf pdf_icon

IRF122

SMIRF12N6530V /36A Single N Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescription ID 12A SMIRF12N65 is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor. The improved VDSS 650V planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize Rdson max 0.75(VGS=10V, ID=6A) on-state resistance, provide superior

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.