STH9NA60FI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STH9NA60FI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT218

Аналог (замена) для STH9NA60FI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH9NA60FI даташит

 ..1. Size:130K  st
 sth9na60fi.pdf pdf_icon

STH9NA60FI

STW9NA60 STH9NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW9NA60 600 V

 8.1. Size:133K  st
 sth9na80fi.pdf pdf_icon

STH9NA60FI

STW9NA80 STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW9NA80 800 V

 8.2. Size:147K  njs
 sth9na80fi stw9na80.pdf pdf_icon

STH9NA60FI

 9.1. Size:338K  1
 sth9n80 sth9n80fi.pdf pdf_icon

STH9NA60FI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF1404SPBF, IRF1404ZGPBF, IRF1404ZLPBF, IRF1404ZPBF, IRF1404ZSPBF, IRF1405LPBF, IRF1405PBF, IRF1405SPBF, IRF540N, STH9NA80FI, STI10NM60N, STI11NM60ND, STI11NM80, STI120NH03L, STI12NM50N, STI14NM65N, STI150N10F7