STH9NA60FI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STH9NA60FI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: ISOWATT218
Аналог (замена) для STH9NA60FI
STH9NA60FI Datasheet (PDF)
sth9na60fi.pdf
STW9NA60STH9NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA60 600 V
sth9na80fi.pdf
STW9NA80STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218FAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA80 800 V
Другие MOSFET... IRF1404SPBF , IRF1404ZGPBF , IRF1404ZLPBF , IRF1404ZPBF , IRF1404ZSPBF , IRF1405LPBF , IRF1405PBF , IRF1405SPBF , IRF540 , STH9NA80FI , STI10NM60N , STI11NM60ND , STI11NM80 , STI120NH03L , STI12NM50N , STI14NM65N , STI150N10F7 .
History: SWHA35N10V | TPC8059-H | GSM4516W
History: SWHA35N10V | TPC8059-H | GSM4516W
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet