STH9NA80FI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STH9NA80FI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: ISOWATT218
Аналог (замена) для STH9NA80FI
STH9NA80FI Datasheet (PDF)
sth9na80fi.pdf
STW9NA80STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218FAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA80 800 V
sth9na60fi.pdf
STW9NA60STH9NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA60 600 V
Другие MOSFET... IRF1404ZGPBF , IRF1404ZLPBF , IRF1404ZPBF , IRF1404ZSPBF , IRF1405LPBF , IRF1405PBF , IRF1405SPBF , STH9NA60FI , IRF540N , STI10NM60N , STI11NM60ND , STI11NM80 , STI120NH03L , STI12NM50N , STI14NM65N , STI150N10F7 , STI15NM60N .
History: KHB4D5N60F | IRF3706L | FML16N50ES | IPD082N10N3 | SFB063N80AC3 | ST1002 | MTM10N100E
History: KHB4D5N60F | IRF3706L | FML16N50ES | IPD082N10N3 | SFB063N80AC3 | ST1002 | MTM10N100E
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet