Справочник MOSFET. STH9NA80FI

 

STH9NA80FI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STH9NA80FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT218
 

 Аналог (замена) для STH9NA80FI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH9NA80FI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  st
sth9na80fi.pdfpdf_icon

STH9NA80FI

STW9NA80STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218FAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA80 800 V

 ..2. Size:147K  njs
sth9na80fi stw9na80.pdfpdf_icon

STH9NA80FI

 8.1. Size:130K  st
sth9na60fi.pdfpdf_icon

STH9NA80FI

STW9NA60STH9NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA60 600 V

 9.1. Size:338K  1
sth9n80 sth9n80fi.pdfpdf_icon

STH9NA80FI

Другие MOSFET... IRF1404ZGPBF , IRF1404ZLPBF , IRF1404ZPBF , IRF1404ZSPBF , IRF1405LPBF , IRF1405PBF , IRF1405SPBF , STH9NA60FI , IRF540N , STI10NM60N , STI11NM60ND , STI11NM80 , STI120NH03L , STI12NM50N , STI14NM65N , STI150N10F7 , STI15NM60N .

History: KHB4D5N60F | IRF3706L | FML16N50ES | IPD082N10N3 | SFB063N80AC3 | ST1002 | MTM10N100E

 

 
Back to Top

 


 
.