STH9NA80FI datasheet, аналоги, параметры транзистора

STH9NA80FI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STH9NA80FI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT218

Аналог (замена) для STH9NA80FI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:133K st
sth9na80fi.pdf pdf_icon

STW9NA80 STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW9NA80 800 V

..2. Size:147K njs
sth9na80fi stw9na80.pdf pdf_icon

8.1. Size:130K st
sth9na60fi.pdf pdf_icon

STW9NA60 STH9NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW9NA60 600 V

9.1. Size:338K 1
sth9n80 sth9n80fi.pdf pdf_icon