STI360N4F6 - аналоги и даташиты транзистора

 

STI360N4F6 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STI360N4F6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1560 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: I2PAK
 

 Аналог (замена) для STI360N4F6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STI360N4F6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  st
 sti360n4f6 stp360n4f6.pdf pdf_icon

STI360N4F6

STI360N4F6, STP360N4F6N-channel 40 V, 120 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in IPAK and TO-220 packagesDatasheet - preliminary dataFeaturesRDS(on) Order codes VDSS max IDTABTABSTI360N4F640 V

Другие MOSFET... STI19NM65N , STI20N65M5 , STI21NM60ND , STI23NM60N , STI24N60M2 , STI260N6F6 , STI33N60M2 , STI33N65M2 , AO3400 , STI400N4F6 , STI40N65M2 , STI45N10F7 , STI57N65M5 , STI5N52U , STI60N55F3 , STI6N80K5 , STI76NF75 .

History: 2SK3417B | AP72T02GJ-HF | PPMT50V02 | CS13N60F | SRT10N160LD | R6011ENJ

 

 
Back to Top

 


 
.