STI360N4F6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STI360N4F6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 1560 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

Аналог (замена) для STI360N4F6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STI360N4F6 даташит

 ..1. Size:176K  st
 sti360n4f6 stp360n4f6.pdf pdf_icon

STI360N4F6

STI360N4F6, STP360N4F6 N-channel 40 V, 120 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in I PAK and TO-220 packages Datasheet - preliminary data Features RDS(on) Order codes VDSS max ID TAB TAB STI360N4F6 40 V

Другие IGBT... STI19NM65N, STI20N65M5, STI21NM60ND, STI23NM60N, STI24N60M2, STI260N6F6, STI33N60M2, STI33N65M2, IRF9540, STI400N4F6, STI40N65M2, STI45N10F7, STI57N65M5, STI5N52U, STI60N55F3, STI6N80K5, STI76NF75