Справочник MOSFET. STK800

 

STK800 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STK800
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
   Тип корпуса: POLARPAK
 

 Аналог (замена) для STK800

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STK800 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:519K  st
 stk800.pdf pdf_icon

STK800

STK800N-channel 30V - 0.006 - 20A - PolarPAKSTripFET Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) RDS(on)*Qg PTOTTypeSTK800 30V

 9.1. Size:109K  samhop
 stk801.pdf pdf_icon

STK800

GreenProductSTK801aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) () MaxVDSS IDRugged and reliable.1.2 @ VGS=10VSuface Mount Package.80V 0.6A1.5 @ VGS=4.5V ESD Protected.D DG SDSOT-89GS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25C unless

Другие MOSFET... STI60N55F3 , STI6N80K5 , STI76NF75 , STI90N4F3 , STK20N75F3 , STK22N6F3 , STK28N3LLH5 , STK38N3LLH5 , IRFB3607 , STK820 , STK822 , STK850 , STL100N10F7 , STL100NH3LL , STL105NS3LLH7 , STL10N60M2 , STL110N10F7 .

History: MTE050N15BRV8 | IRF5805TRPBF | NCEP036N10MSL

 

 
Back to Top

 


 
.