STK800 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STK800

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm

Тип корпуса: POLARPAK

Аналог (замена) для STK800

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STK800 даташит

 ..1. Size:519K  st
 stk800.pdf pdf_icon

STK800

STK800 N-channel 30V - 0.006 - 20A - PolarPAK STripFET Power MOSFET Features VDSS RDS(on) RDS(on)*Qg PTOT Type STK800 30V

 9.1. Size:109K  samhop
 stk801.pdf pdf_icon

STK800

Green Product STK801 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) ( ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 1.2 @ VGS=10V Suface Mount Package. 80V 0.6A 1.5 @ VGS=4.5V ESD Protected. D D G S D SOT-89 G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless

Другие IGBT... STI60N55F3, STI6N80K5, STI76NF75, STI90N4F3, STK20N75F3, STK22N6F3, STK28N3LLH5, STK38N3LLH5, K4145, STK820, STK822, STK850, STL100N10F7, STL100NH3LL, STL105NS3LLH7, STL10N60M2, STL110N10F7