STL120N4F6AG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL120N4F6AG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 40 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 625 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6

Аналог (замена) для STL120N4F6AG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL120N4F6AG даташит

 ..1. Size:482K  st
 stl120n4f6ag.pdf pdf_icon

STL120N4F6AG

 7.1. Size:649K  st
 stl120n2vh5.pdf pdf_icon

STL120N4F6AG

STL120N2VH5 N-channel 20 V, 0.002 , 28 A STripFET V Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 package Features Order code VDSS RDS(on) max ID STL120N2VH5 20 V

 9.1. Size:445K  st
 stl12n3llh5.pdf pdf_icon

STL120N4F6AG

STL12N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0079 , 12 A, PowerFLAT (3.3 x 3.3) STripFET V Power MOSFET Features RDS(on) Order code VDSS ID max STL12N3LLH5 30 V

 9.2. Size:460K  st
 stl12n65m2.pdf pdf_icon

STL120N4F6AG

STL12N65M2 N-channel 650 V, 0.62 typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STL12N65M2 650 V 0.75 5 A 48 W 1 Extremely low gate charge 2 3 Excellent output capacitance (COSS) profile 4 100% avalanche tested Zener-protected PowerFLAT 5x6 HV Ap

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STL100NH3LL, STL105NS3LLH7, STL10N60M2, STL110N10F7, STL110NS3LLH7, STL11N4LLF5, STL11N65M5, STL120N2VH5, IRFP450, STL12N3LLH5, STL12N60M2, STL12N65M2, STL12P6F6, STL130N8F7, STL13DP10F6, STL13N60M2, STL13N65M2