Справочник MOSFET. STL130N8F7

 

STL130N8F7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STL130N8F7
   Маркировка: 130N8F7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 96 nC
   trⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1195 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT5X6

 Аналог (замена) для STL130N8F7

 

 

STL130N8F7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1198K  st
 stl130n8f7.pdf

STL130N8F7 STL130N8F7

STL130N8F7N-channel 80 V, 3 m, 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max ID PTOT3.6 m STL130N8F7 80 V 130 A 135 W(VGS=10 V) Ultra low on-resistance123 100% avalanche tested4ApplicationsPowerFLAT 5x6 Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal schemati

 7.1. Size:667K  st
 stl130n6f7.pdf

STL130N8F7 STL130N8F7

STL130N6F7 N-channel 60 V, 0.003 typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DSTL130N6F7 60 V 0.0035 130 A Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity High avalanche ruggedness Applications

 9.1. Size:636K  st
 stl13n65m2.pdf

STL130N8F7 STL130N8F7

STL13N65M2N-channel 650 V, 0.365 typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL13N65M2 650 V 0.475 6.5 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 123 100% avalanche tested4 Zener-protectedPowerFLAT 5x6 HVApplications S

 9.2. Size:1047K  st
 stl13n60m2.pdf

STL130N8F7 STL130N8F7

STL13N60M2N-channel 600 V, 0.39 typ., 7 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTL13N60M2 650 V 0.42 7 A Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous generation123 Low gate input resistance4 100% avalanche testedPowerFLAT 5x6

 9.3. Size:575K  st
 stl13dp10f6.pdf

STL130N8F7 STL130N8F7

STL13DP10F6Dual P-channel 100 V, 0.136 typ., 3.3 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double islandDatasheet - production dataFeatures VDS RDS(on) max. ID1 Order code4 STL13DP10F6 100 V 0.18 3.3 A 1 RDS(on) * Qg industry benchmark84 Extremely low on-resistance RDS(on)5 High avalanche ruggednessPowerFLAT 5x6 Low gat

 9.4. Size:877K  st
 stl13nm60n.pdf

STL130N8F7 STL130N8F7

STL13NM60NN-channel 600 V, 0.320 typ., 10 A MDmesh II Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS @ Tjmax RDS(on) max. IDS ) Bottom viewS(3)S(3) STL13NM60N 650 V 0.385 10 A G(1)D(2) 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistancePowerFLAT 8x8 HVApplicatio

 9.5. Size:619K  st
 2stl1360 2stx1360.pdf

STL130N8F7 STL130N8F7

2STL13602STX1360Low voltage fast-switching NPN power transistorsFeatures Very low collector-emitter saturation voltage High current gain characteristic Fast-switching speedApplications Emergency lighting LEDTO-92 TO-92L Voltage regulation Relay driveFigure 1. Internal schematic diagramDescriptionThe devices are NPN transistors manufactured us

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top