STL130N8F7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL130N8F7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1195 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6

Аналог (замена) для STL130N8F7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL130N8F7 даташит

 ..1. Size:1198K  st
stl130n8f7.pdfpdf_icon

STL130N8F7

STL130N8F7 N-channel 80 V, 3 m , 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID PTOT 3.6 m STL130N8F7 80 V 130 A 135 W (VGS=10 V) Ultra low on-resistance 1 2 3 100% avalanche tested 4 Applications PowerFLAT 5x6 Switching applications Description Figure 1. Internal schemati

 7.1. Size:667K  st
stl130n6f7.pdfpdf_icon

STL130N8F7

STL130N6F7 N-channel 60 V, 0.003 typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) D STL130N6F7 60 V 0.0035 130 A Among the lowest RDS(on) on the market Excellent figure of merit (FoM) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity High avalanche ruggedness Applications

 9.1. Size:636K  st
stl13n65m2.pdfpdf_icon

STL130N8F7

STL13N65M2 N-channel 650 V, 0.365 typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STL13N65M2 650 V 0.475 6.5 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 1 2 3 100% avalanche tested 4 Zener-protected PowerFLAT 5x6 HV Applications S

 9.2. Size:1047K  st
stl13n60m2.pdfpdf_icon

STL130N8F7

STL13N60M2 N-channel 600 V, 0.39 typ., 7 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package Datasheet - production data Features Order code VDS @ TJmax RDS(on) max ID STL13N60M2 650 V 0.42 7 A Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous generation 1 2 3 Low gate input resistance 4 100% avalanche tested PowerFLAT 5x6

Другие IGBT... STL11N4LLF5, STL11N65M5, STL120N2VH5, STL120N4F6AG, STL12N3LLH5, STL12N60M2, STL12N65M2, STL12P6F6, IRFP250, STL13DP10F6, STL13N60M2, STL13N65M2, STL15N65M5, STL160NS3LLH7, STL16N60M2, STL16N65M2, STL17N65M5