STL13N60M2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL13N60M2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6HV

Аналог (замена) для STL13N60M2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL13N60M2 даташит

 ..1. Size:1047K  st
stl13n60m2.pdfpdf_icon

STL13N60M2

STL13N60M2 N-channel 600 V, 0.39 typ., 7 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package Datasheet - production data Features Order code VDS @ TJmax RDS(on) max ID STL13N60M2 650 V 0.42 7 A Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous generation 1 2 3 Low gate input resistance 4 100% avalanche tested PowerFLAT 5x6

 7.1. Size:636K  st
stl13n65m2.pdfpdf_icon

STL13N60M2

STL13N65M2 N-channel 650 V, 0.365 typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STL13N65M2 650 V 0.475 6.5 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 1 2 3 100% avalanche tested 4 Zener-protected PowerFLAT 5x6 HV Applications S

 8.1. Size:877K  st
stl13nm60n.pdfpdf_icon

STL13N60M2

STL13NM60N N-channel 600 V, 0.320 typ., 10 A MDmesh II Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet - production data Features Order code VDS @ Tjmax RDS(on) max. ID S ) Bottom view S(3) S(3) STL13NM60N 650 V 0.385 10 A G(1) D(2) 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance PowerFLAT 8x8 HV Applicatio

 9.1. Size:1198K  st
stl130n8f7.pdfpdf_icon

STL13N60M2

STL130N8F7 N-channel 80 V, 3 m , 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID PTOT 3.6 m STL130N8F7 80 V 130 A 135 W (VGS=10 V) Ultra low on-resistance 1 2 3 100% avalanche tested 4 Applications PowerFLAT 5x6 Switching applications Description Figure 1. Internal schemati

Другие IGBT... STL120N2VH5, STL120N4F6AG, STL12N3LLH5, STL12N60M2, STL12N65M2, STL12P6F6, STL130N8F7, STL13DP10F6, 2SK3568, STL13N65M2, STL15N65M5, STL160NS3LLH7, STL16N60M2, STL16N65M2, STL17N65M5, STL180N4LLF6, STL18N60M2