STL17N65M5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL17N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.374 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT8X8HV

Аналог (замена) для STL17N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL17N65M5 даташит

 ..1. Size:1097K  st
 stl17n65m5.pdf pdf_icon

STL17N65M5

STL17N65M5 N-channel 650 V, 0.338 typ., 10 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet - preliminary data Features Order code VDS @ TJmax RDS(on) max ID S(2) Bottom view S(2) S(2) STL17N65M5 710 V 0.374 10 A(1) G(1) 1. The value is rated according to Rthj-case and limited by D(3) package Worldwide best RDS(on) * area Higher VDSS rating an

 8.1. Size:922K  st
 stl17n3llh6.pdf pdf_icon

STL17N65M5

STL17N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0038 , 17 A PowerFLAT (3.3x3.3) STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features RDS(on) Order code VDSS ID max. STL17N3LLH6 30 V 0.0045 17 A (1) 1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmark PowerFLAT (3.3 x 3.3) Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate drive power los

Другие IGBT... STL130N8F7, STL13DP10F6, STL13N60M2, STL13N65M2, STL15N65M5, STL160NS3LLH7, STL16N60M2, STL16N65M2, 18N50, STL180N4LLF6, STL18N60M2, STL18N65M2, STL18N65M5, STL19N65M5, STL20DN10F7, STL20NM20N, STL220N3LLH7