Справочник MOSFET. STL17N65M5

 

STL17N65M5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STL17N65M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.374 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT8X8HV

 Аналог (замена) для STL17N65M5

 

 

STL17N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1097K  st
 stl17n65m5.pdf

STL17N65M5 STL17N65M5

STL17N65M5N-channel 650 V, 0.338 typ., 10 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDS(2) Bottom viewS(2)S(2)STL17N65M5 710 V 0.374 10 A(1)G(1)1. The value is rated according to Rthj-case and limited by D(3)package Worldwide best RDS(on) * area Higher VDSS rating an

 8.1. Size:922K  st
 stl17n3llh6.pdf

STL17N65M5 STL17N65M5

STL17N3LLH6N-channel 30 V, 0.0038 , 17 A PowerFLAT(3.3x3.3)STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmax.STL17N3LLH6 30 V 0.0045 17 A (1)1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmarkPowerFLAT (3.3 x 3.3) Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate drive power los

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top