Справочник MOSFET. STL17N65M5

 

STL17N65M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STL17N65M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.374 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT8X8HV
 

 Аналог (замена) для STL17N65M5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL17N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1097K  st
 stl17n65m5.pdf pdf_icon

STL17N65M5

STL17N65M5N-channel 650 V, 0.338 typ., 10 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDS(2) Bottom viewS(2)S(2)STL17N65M5 710 V 0.374 10 A(1)G(1)1. The value is rated according to Rthj-case and limited by D(3)package Worldwide best RDS(on) * area Higher VDSS rating an

 8.1. Size:922K  st
 stl17n3llh6.pdf pdf_icon

STL17N65M5

STL17N3LLH6N-channel 30 V, 0.0038 , 17 A PowerFLAT(3.3x3.3)STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmax.STL17N3LLH6 30 V 0.0045 17 A (1)1. The value is rated according Rthj-pcb RDS(on) * Qg industry benchmarkPowerFLAT (3.3 x 3.3) Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate drive power los

Другие MOSFET... STL130N8F7 , STL13DP10F6 , STL13N60M2 , STL13N65M2 , STL15N65M5 , STL160NS3LLH7 , STL16N60M2 , STL16N65M2 , 75N75 , STL180N4LLF6 , STL18N60M2 , STL18N65M2 , STL18N65M5 , STL19N65M5 , STL20DN10F7 , STL20NM20N , STL220N3LLH7 .

History: IRFBE30PBF | BSP372 | CSFR2N60U | 4N100L-TA3-T

 

 
Back to Top

 


 
.