STL260N3LLH6 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: STL260N3LLH6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1230 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0013 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT5X6
Аналог (замена) для STL260N3LLH6
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STL260N3LLH6 даташит
stl260n3llh6.pdf
STL260N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0011 typ., 260 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STL260N3LLH6 30 V 0.0013 260 A (1) 1. The value is rated according Rthj-c 1 Very low on-resistance RDS(on) 2 3 Very low gate charge 4 High avalanche ruggedness PowerFLAT 5x6 Application
stl26nm60n.pdf
STL26NM60N N-channel 600 V, 0.160 , 19 A PowerFLAT (8x8) HV ultra low gate charge MDmesh II Power MOSFET Features VDSS @ RDS(on) Type ID S(3) Bottom view TJmax max S(3) S(3) G(1) STL26NM60N 650 V
Другие IGBT... STL19N65M5, STL20DN10F7, STL20NM20N, STL220N3LLH7, STL22N65M5, STL23NM50N, STL23NS3LLH7, STL24N60M2, IRF1405, STL2N80K5, STL30N10F7, STL30P3LLH6, STL31N65M5, STL33N60M2, STL34N65M5, STL35N6F3, STL36N55M5
History: HAT2174N | 2SK3821K
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
Popular searches
40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor


