STL260N3LLH6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STL260N3LLH6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1230 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0013 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT5X6
Аналог (замена) для STL260N3LLH6
STL260N3LLH6 Datasheet (PDF)
stl260n3llh6.pdf

STL260N3LLH6N-channel 30 V, 0.0011 typ., 260 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL260N3LLH6 30 V 0.0013 260 A (1)1. The value is rated according Rthj-c1 Very low on-resistance RDS(on)23 Very low gate charge4 High avalanche ruggednessPowerFLAT5x6Application
stl26nm60n.pdf

STL26NM60NN-channel 600 V, 0.160 , 19 A PowerFLAT (8x8) HVultra low gate charge MDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDS(3) Bottom viewTJmax maxS(3)S(3)G(1)STL26NM60N 650 V
Другие MOSFET... STL19N65M5 , STL20DN10F7 , STL20NM20N , STL220N3LLH7 , STL22N65M5 , STL23NM50N , STL23NS3LLH7 , STL24N60M2 , NCEP15T14 , STL2N80K5 , STL30N10F7 , STL30P3LLH6 , STL31N65M5 , STL33N60M2 , STL34N65M5 , STL35N6F3 , STL36N55M5 .
History: HGN046NE6AL | P8010BD
History: HGN046NE6AL | P8010BD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor