STL36N55M5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL36N55M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT8X8HV

Аналог (замена) для STL36N55M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL36N55M5 даташит

 ..1. Size:1119K  st
 stl36n55m5.pdf pdf_icon

STL36N55M5

STL36N55M5 N-channel 550 V, 0.066 typ., 22.5 A MDmesh V Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet production data Features VDS @ RDS(on) Order code ID S(2) Bottom view TJmax max S(2) S(2) G(1) STL36N55M5 600 V 0.090 22.5 A(1) D(3) 1. The value is rated according to Rthj-case and limited by package. 100% avalanche tested PowerFLAT 8x8 HV

Другие IGBT... STL260N3LLH6, STL2N80K5, STL30N10F7, STL30P3LLH6, STL31N65M5, STL33N60M2, STL34N65M5, STL35N6F3, AON7403, STL38N65M5, STL3N10F7, STL3NK40, STL3NM60N, STL40C30H3LL, STL40N10F7, STL40N75LF3, STL42P4LLF6