STL36N55M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STL36N55M5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT8X8HV
Аналог (замена) для STL36N55M5
STL36N55M5 Datasheet (PDF)
stl36n55m5.pdf

STL36N55M5N-channel 550 V, 0.066 typ., 22.5 A MDmesh VPower MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV packageDatasheet production dataFeaturesVDS @ RDS(on) Order code IDS(2) Bottom viewTJmax maxS(2)S(2)G(1)STL36N55M5 600 V 0.090 22.5 A(1)D(3)1. The value is rated according to Rthj-case and limited by package. 100% avalanche testedPowerFLAT 8x8 HV
Другие MOSFET... STL260N3LLH6 , STL2N80K5 , STL30N10F7 , STL30P3LLH6 , STL31N65M5 , STL33N60M2 , STL34N65M5 , STL35N6F3 , EMB04N03H , STL38N65M5 , STL3N10F7 , STL3NK40 , STL3NM60N , STL40C30H3LL , STL40N10F7 , STL40N75LF3 , STL42P4LLF6 .
History: AP2308GEN
History: AP2308GEN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet