STL4N10F7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STL4N10F7
Маркировка: 4N1F7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.8 nC
trⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 112 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT3.3X3.3
STL4N10F7 Datasheet (PDF)
stl4n10f7.pdf
STL4N10F7N-channel 100 V, 0.062 typ., 4.5 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL4N10F7 100 V 0.07 4.5 A N-channel enhancement mode123 Lower RDS(on) x area vs previous generation4 100% avalanche ratedPowerFLAT 3.3x3.3Applications Switching
stl4n80k5.pdf
STL4N80K5N-channel 800 V, 2.1 typ., 2.5 A MDMesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max. IDSTL4N80K5 800 V 2.5 2.5 A Industrys lowest RDS(on) x area1 Industrys best figure of merit (FoM) 23 Ultra low gate charge4 100% avalanche testedPowerFLAT 5x6 VHV Zener pro
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
