Справочник MOSFET. STL4N10F7

 

STL4N10F7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STL4N10F7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 112 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для STL4N10F7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL4N10F7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:891K  st
 stl4n10f7.pdf pdf_icon

STL4N10F7

STL4N10F7N-channel 100 V, 0.062 typ., 4.5 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL4N10F7 100 V 0.07 4.5 A N-channel enhancement mode123 Lower RDS(on) x area vs previous generation4 100% avalanche ratedPowerFLAT 3.3x3.3Applications Switching

 9.1. Size:949K  st
 stl4n80k5.pdf pdf_icon

STL4N10F7

STL4N80K5N-channel 800 V, 2.1 typ., 2.5 A MDMesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on)max. IDSTL4N80K5 800 V 2.5 2.5 A Industrys lowest RDS(on) x area1 Industrys best figure of merit (FoM) 23 Ultra low gate charge4 100% avalanche testedPowerFLAT 5x6 VHV Zener pro

Другие MOSFET... STL3NK40 , STL3NM60N , STL40C30H3LL , STL40N10F7 , STL40N75LF3 , STL42P4LLF6 , STL42P6LLF6 , STL45N65M5 , IRFZ44N , STL4N80K5 , STL4P2UH7 , STL4P3LLH6 , STL50NH3LL , STL51N3LLH5 , STL55NH3LL , STL57N65M5 , STL58N3LLH5 .

History: CJ3139KDW | CEB6060N | F5043 | IXTQ96N15P | FDS5170N7 | NVMFS5C645NL

 

 
Back to Top

 


 
.