STL4N10F7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL4N10F7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 112 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT3.3X3.3

Аналог (замена) для STL4N10F7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL4N10F7 даташит

 ..1. Size:891K  st
 stl4n10f7.pdf pdf_icon

STL4N10F7

STL4N10F7 N-channel 100 V, 0.062 typ., 4.5 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STL4N10F7 100 V 0.07 4.5 A N-channel enhancement mode 1 2 3 Lower RDS(on) x area vs previous generation 4 100% avalanche rated PowerFLAT 3.3x3.3 Applications Switching

 9.1. Size:949K  st
 stl4n80k5.pdf pdf_icon

STL4N10F7

STL4N80K5 N-channel 800 V, 2.1 typ., 2.5 A MDMesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on)max. ID STL4N80K5 800 V 2.5 2.5 A Industry s lowest RDS(on) x area 1 Industry s best figure of merit (FoM) 2 3 Ultra low gate charge 4 100% avalanche tested PowerFLAT 5x6 VHV Zener pro

Другие IGBT... STL3NK40, STL3NM60N, STL40C30H3LL, STL40N10F7, STL40N75LF3, STL42P4LLF6, STL42P6LLF6, STL45N65M5, IRFZ44N, STL4N80K5, STL4P2UH7, STL4P3LLH6, STL50NH3LL, STL51N3LLH5, STL55NH3LL, STL57N65M5, STL58N3LLH5