Справочник MOSFET. STL4P3LLH6

 

STL4P3LLH6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STL4P3LLH6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT2X2
 

 Аналог (замена) для STL4P3LLH6

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL4P3LLH6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:760K  st
 stl4p3llh6.pdf pdf_icon

STL4P3LLH6

STL4P3LLH6P-channel 30 V, 0.048 typ., 4 A STripFET H6 DeepGATEPower MOSFET in PowerFLAT 2x2 packageDatasheet - preliminary dataFeatures1Order code VDSS RDS(on) max. ID23STL4P3LLH6 30 V 0.056 at 10 V 4 A Very low on-resistance RDS(on)61 Very low gate charge5243 High avalanche ruggedness Low gate drive power lossPowerFLAT 2x2

 9.1. Size:420K  st
 stl4p2uh7.pdf pdf_icon

STL4P3LLH6

STL4P2UH7P-channel 20 V, 0.087 typ., 4 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max ID12 STL4P2UH7 20 V 0.1 @ 4.5 V 4 A3 Ultra logic level6152 Extremely low on-resistance RDS(on)43 High avalanche ruggednessPowerFLAT 2x2 Low gate drive power losses

Другие MOSFET... STL40N10F7 , STL40N75LF3 , STL42P4LLF6 , STL42P6LLF6 , STL45N65M5 , STL4N10F7 , STL4N80K5 , STL4P2UH7 , IRF840 , STL50NH3LL , STL51N3LLH5 , STL55NH3LL , STL57N65M5 , STL58N3LLH5 , STL60N10F7 , STL60NH3LL , STL60P4LLF6 .

History: NVH4L080N120SC1 | HGP115N15S | SI1031R | IXFV22N50P | IRF3415SPBF | STF24NF12 | DMC2053UVT

 

 
Back to Top

 


 
.