Справочник MOSFET. STL4P3LLH6

 

STL4P3LLH6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STL4P3LLH6
   Маркировка: 4K3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: POWERFLAT2X2

 Аналог (замена) для STL4P3LLH6

 

 

STL4P3LLH6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:760K  st
 stl4p3llh6.pdf

STL4P3LLH6 STL4P3LLH6

STL4P3LLH6P-channel 30 V, 0.048 typ., 4 A STripFET H6 DeepGATEPower MOSFET in PowerFLAT 2x2 packageDatasheet - preliminary dataFeatures1Order code VDSS RDS(on) max. ID23STL4P3LLH6 30 V 0.056 at 10 V 4 A Very low on-resistance RDS(on)61 Very low gate charge5243 High avalanche ruggedness Low gate drive power lossPowerFLAT 2x2

 9.1. Size:420K  st
 stl4p2uh7.pdf

STL4P3LLH6 STL4P3LLH6

STL4P2UH7P-channel 20 V, 0.087 typ., 4 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max ID12 STL4P2UH7 20 V 0.1 @ 4.5 V 4 A3 Ultra logic level6152 Extremely low on-resistance RDS(on)43 High avalanche ruggednessPowerFLAT 2x2 Low gate drive power losses

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top