STV160NF02LT4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STV160NF02LT4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 115 nC
trⓘ - Время нарастания: 800 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3000 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
Тип корпуса: POWERSO-10
Аналог (замена) для STV160NF02LT4
STV160NF02LT4 Datasheet (PDF)
stv160nf02lt4.pdf
STV160NF02LN-CHANNEL 20V - 0.0016 - 160A PowerSO-10STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTV160NF02L 20 V
stv160nf02l.pdf
STV160NF02LN-CHANNEL 20V - 0.0016 - 160A PowerSO-10STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTV160NF02L 20 V
stv160nf02lat4.pdf
STV160NF02LAN-CHANNEL 20V - 0.0018 - 160A PowerSO-10STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTV160NF02LA 20 V
stv160nf02la.pdf
STV160NF02LAN-CHANNEL 20V - 0.0018 - 160A PowerSO-10STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTV160NF02LA 20 V
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
