STW33N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW33N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW33N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW33N20 даташит

 ..1. Size:332K  1
 sth33n20 sth33n20fi stw33n20.pdf pdf_icon

STW33N20

 ..2. Size:326K  st
 stw33n20.pdf pdf_icon

STW33N20

 8.1. Size:1110K  st
 stf33n60m2 sti33n60m2 stp33n60m2 stw33n60m2.pdf pdf_icon

STW33N20

STF33N60M2, STI33N60M2, STP33N60M2, STW33N60M2 N-channel 600 V, 0.108 typ., 26 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB VDS @ RDS(on) Order codes ID 3 2 3 TJmax max 1 2 1 2 I PAK TO-220FP STF33N60M2 26 A(1) TAB STI33N60M2 650 V 0.125 STP33N60M2 26 A STW33N60M2 3 3 2 2 1

 8.2. Size:912K  st
 stb33n60dm2 stp33n60dm2 stw33n60dm2.pdf pdf_icon

STW33N20

STB33N60DM2, STP33N60DM2, STW33N60DM2 N-channel 600 V, 0.110 typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features Order code V @ T R max. I DS Jmax. DS(on) D STB33N60DM2 650 V 0.130 24 A STP33N60DM2 650 V 0.130 24 A STW33N60DM2 650 V 0.130 24 A Fast-recovery body diode Extremely low gate charg

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STW29NK50Z, STW29NK50ZD, STW30N20, STW30NM60D, STW30NM60N, STW30NM60ND, STW31N65M5, STW32NM50N, IRF840, STW33N60M2, STW34N65M5, STW36N55M5, STW36NM60ND, STW38N65M5, STW38NB20, STW3N170, STW40N20