STW45N65M5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STW45N65M5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для STW45N65M5
STW45N65M5 Datasheet (PDF)
stfw45n65m5 stw45n65m5 stwa45n65m5.pdf
STFW45N65M5, STW45N65M5, STWA45N65M5N-channel 650 V, 35 A, 0.067 typ., MDmesh V Power MOSFETs in TO-3PF, TO-247 and TO-247 long leads packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTFW45N65M5STW45N65M5 710 V 0.078 35 A111STWA45N65M5332 21 1 Worldwide best RDS(on) * areaTO-247TO-3PFTO-247 long leads Hig
stb45n65m5 stf45n65m5 stp45n65m5 stw45n65m5.pdf
STB45N65M5, STF45N65M5, STP45N65M5 STW45N65M5N-channel 650 V, 0.067 typ., 35 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeatures TAB2VDSS @ RDS(on) 3Order code ID1TJmax max32D2PAK1STB45N65M5TO-220FPTABSTF45N65M5710 V
stw45n60dm2ag.pdf
STW45N60DM2AG Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features V @ R DS DS(on)Order code I P D TOTTJmax. max. 34 250 STW45N60DM2AG 650 V 0.093 A W 3 Designed for automotive applications and 2AEC-Q101 qualified 1 Fast-recovery body diode Extremely low gate c
stp45n60dm6 stw45n60dm6.pdf
STP45N60DM6, STW45N60DM6 N-channel 600 V, 0.085 typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TABOrder code V R max. I DS DS(on) DSTP45N60DM6 600 V 0.099 30 A STW45N60DM6 33 Fast-recovery body diode 221 Lower R x area vs previous generation DS(on)1 Low gate charge, input capacitan
stw45nm50.pdf
STW45NM50N-channel 550 V @ TJmax, 0.08 , 45 A, TO-247MDmesh Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTW45NM50FD 500 V
stw45nm60.pdf
STW45NM60N-channel 650V@Tjmax - 0.09 - 45A - TO-247MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)STW45NM60 650V
stw45nm50fd.pdf
STW45NM50FDN-channel 500 V, 0.07 , 45 A, TO-247FDmesh Power MOSFET (with fast diode)FeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTW45NM50FD 500 V
stw45nm50.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STW45NM50FEATURESLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSThe MDmesh family is very suitable for increasingpower density of high voltage converters allowing systemminiat
stw45nm60.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STW45NM60FEATURESHigh dv/dt and avalanche capabilitiesLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedTight process control and high manufacturing yieldsMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching application
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918