STW56N60M2-4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW56N60M2-4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TO-247-4

Аналог (замена) для STW56N60M2-4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW56N60M2-4 даташит

 ..1. Size:907K  st
 stw56n60m2-4.pdf pdf_icon

STW56N60M2-4

STW56N60M2-4 N-channel 600 V, 0.045 typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package Datasheet - production data Features Order code V Jmax DS(on) D DS @ T R max I STW56N60M2-4 650 V 0.055 52 A Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile oss 100%

 4.1. Size:676K  st
 stw56n60m2.pdf pdf_icon

STW56N60M2-4

STW56N60M2 N-channel 600 V, 0.045 typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDS @ TJmax max ID STW56N60M2 650 V 0.055 52 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (Coss) profile 3 2 100% avalanche tested 1 Zener-protected TO-247 Applications Switching application

 7.1. Size:596K  st
 stw56n65dm2.pdf pdf_icon

STW56N60M2-4

STW56N65DM2 N-channel 650 V, 0.058 typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on) Order code V I P DS D TOT max. STW56N65DM2 650 V 0.065 48 A 360 W Fast-recovery body diode 3 Extremely low gate charge and input 2 capacitance 1 Low on-resistance 100% avalanche tested TO-247 Extre

 7.2. Size:724K  st
 stw56n65m2.pdf pdf_icon

STW56N60M2-4

STW56N65M2 N-channel 650 V, 0.049 typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STW56N65M2 650 V 0.062 49 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (Coss) profile 100% avalanche tested 3 2 Zener-protected 1 Applications TO-247 Switching applications Figure

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STW45N65M5, STW46NF30, STW48N60M2, STW48N60M2-4, STW50NB20, STW54NK30Z, STW55NM50N, STW56N60M2, 8205A, STW56N65M2, STW56N65M2-4, STW57N65M5, STW57N65M5-4, STW60NE10, STW60NM50N, STW62N65M5, STW69N65M5