STW60NE10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW60NE10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW60NE10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW60NE10 даташит

 ..1. Size:202K  st
 stw60ne10.pdf pdf_icon

STW60NE10

STW60NE10 N - CHANNEL 100V - 0.016 - 60A TO-247 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW60NE10 100 V

 8.1. Size:569K  st
 stw60n65m5 stfw60n65m5.pdf pdf_icon

STW60NE10

STW60N65M5 STFW60N65M5 N-channel 650 V, 0.049 , 46 A MDmesh V Power MOSFET in TO-247, TO-3PF Features VDSS @ RDS(on) Order codes ID TJmax max STFW60N65M5 1 1 1 710 V

 8.2. Size:751K  st
 stw60nm50n.pdf pdf_icon

STW60NE10

STW60NM50N N-channel 500 V, 0.035 , 68 A, MDmesh II Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code VDSS (@Tjmax) RDS(on) max ID STW60NM50N 550 V

 8.3. Size:389K  st
 stw60n10.pdf pdf_icon

STW60NE10

STH60N10/FI STW60N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STH60N10 100 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STW54NK30Z, STW55NM50N, STW56N60M2, STW56N60M2-4, STW56N65M2, STW56N65M2-4, STW57N65M5, STW57N65M5-4, AON7408, STW60NM50N, STW62N65M5, STW69N65M5, STW69N65M5-4, STW6NA80, STW70N60M2, STW75N20, STW78N65M5