Справочник MOSFET. STW6NA80

 

STW6NA80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW6NA80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для STW6NA80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW6NA80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  st
stw6na80.pdfpdf_icon

STW6NA80

STW6NA80STH6NA80FI N - CHANNEL 800V - 1.8 - 5.4A - TO-247/ISOWATT218FAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW6NA80 800 V

 8.1. Size:73K  st
stw6na90.pdfpdf_icon

STW6NA80

STW6NA90N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTW6NA90 900 V

 9.1. Size:500K  st
std6n95k5 stp6n95k5 stu6n95k5 stw6n95k5.pdfpdf_icon

STW6NA80

STD6N95K5, STP6N95K5 STU6N95K5, STW6N95K5DatasheetN-channel 950 V, 1 typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFETs in DPAK, TO-220, IPAK and TO-247 packagesFeaturesTABTABOrder codes VDS RDS(on) max. ID PTOT31DPAK STD6N95K53TO-220 STP6N95K521 950 V 1.25 9 A 90 WTABSTU6N95K5STW6N95K5 DPAK 950 V worldwide best RDS(on)32IPAK13 Worldwide best FOM

 9.2. Size:138K  st
stw6n.pdfpdf_icon

STW6NA80

STW6NA80STH6NA80FI N - CHANNEL 800V - 1.8 - 5.4A - TO-247/ISOWATT218FAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW6NA80 800 V

Другие MOSFET... STW56N65M2-4 , STW57N65M5 , STW57N65M5-4 , STW60NE10 , STW60NM50N , STW62N65M5 , STW69N65M5 , STW69N65M5-4 , IRF4905 , STW70N60M2 , STW75N20 , STW78N65M5 , STW7N105K5 , STW7NA100 , STW7NA80 , STW7NA90 , STW80NE06-10 .

History: IXTH75N10L2 | RJU003N03FRA | AP2864I-A-HF | PH1330AL | UT7401 | SM7307DSKP

 

 
Back to Top

 


 
.