STW6NA80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW6NA80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW6NA80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW6NA80 даташит

 ..1. Size:132K  st
stw6na80.pdfpdf_icon

STW6NA80

STW6NA80 STH6NA80FI N - CHANNEL 800V - 1.8 - 5.4A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW6NA80 800 V

 8.1. Size:73K  st
stw6na90.pdfpdf_icon

STW6NA80

STW6NA90 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STW6NA90 900 V

 9.1. Size:500K  st
std6n95k5 stp6n95k5 stu6n95k5 stw6n95k5.pdfpdf_icon

STW6NA80

STD6N95K5, STP6N95K5 STU6N95K5, STW6N95K5 Datasheet N-channel 950 V, 1 typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFETs in DPAK, TO-220, IPAK and TO-247 packages Features TAB TAB Order codes VDS RDS(on) max. ID PTOT 3 1 DPAK STD6N95K5 3 TO-220 STP6N95K5 2 1 950 V 1.25 9 A 90 W TAB STU6N95K5 STW6N95K5 DPAK 950 V worldwide best RDS(on) 3 2 IPAK 1 3 Worldwide best FOM

 9.2. Size:138K  st
stw6n.pdfpdf_icon

STW6NA80

STW6NA80 STH6NA80FI N - CHANNEL 800V - 1.8 - 5.4A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW6NA80 800 V

Другие IGBT... STW56N65M2-4, STW57N65M5, STW57N65M5-4, STW60NE10, STW60NM50N, STW62N65M5, STW69N65M5, STW69N65M5-4, IRF4905, STW70N60M2, STW75N20, STW78N65M5, STW7N105K5, STW7NA100, STW7NA80, STW7NA90, STW80NE06-10