STWA57N65M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STWA57N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STWA57N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STWA57N65M5 даташит

 ..1. Size:1044K  st
 stw57n65m5 stwa57n65m5.pdf pdf_icon

STWA57N65M5

STW57N65M5, STWA57N65M5 N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A MDmesh V Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packages Datasheet - production data Features Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID STW57N65M5 710 V 0.063 42 A STWA57N65M5 Worldwide best RDS(on)*area amongst the 3 2 silicon based devices 1 TO-247 Higher VDSS rating, high dv/dt capability TO-24

Другие IGBT... STW8NA60, STW8NA80, STW8NB100, STW9NA80, STW9NK95Z, STWA12N120K5, STWA20N95K5, STWA45N65M5, STP80NF70, STWA88N65M5, STY100NM60N, STY100NS20FD, STY105NM50N, STY139N65M5, STY145N65M5, STY34NB50, MCH3333A