Справочник MOSFET. STWA57N65M5

 

STWA57N65M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STWA57N65M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STWA57N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1044K  st
 stw57n65m5 stwa57n65m5.pdf pdf_icon

STWA57N65M5

STW57N65M5, STWA57N65M5N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A MDmesh V Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTW57N65M5710 V 0.063 42 ASTWA57N65M5 Worldwide best RDS(on)*area amongst the 32silicon based devices1TO-247 Higher VDSS rating, high dv/dt capabilityTO-24

Другие MOSFET... STW8NA60 , STW8NA80 , STW8NB100 , STW9NA80 , STW9NK95Z , STWA12N120K5 , STWA20N95K5 , STWA45N65M5 , 20N50 , STWA88N65M5 , STY100NM60N , STY100NS20FD , STY105NM50N , STY139N65M5 , STY145N65M5 , STY34NB50 , MCH3333A .

 

 
Back to Top

 


 
.