STWA57N65M5 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STWA57N65M5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для STWA57N65M5
STWA57N65M5 Datasheet (PDF)
stw57n65m5 stwa57n65m5.pdf
STW57N65M5, STWA57N65M5N-channel 650 V, 0.056 typ., 42 A MDmesh V Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packagesDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTW57N65M5710 V 0.063 42 ASTWA57N65M5 Worldwide best RDS(on)*area amongst the 32silicon based devices1TO-247 Higher VDSS rating, high dv/dt capabilityTO-24
Другие MOSFET... STW8NA60 , STW8NA80 , STW8NB100 , STW9NA80 , STW9NK95Z , STWA12N120K5 , STWA20N95K5 , STWA45N65M5 , 18N50 , STWA88N65M5 , STY100NM60N , STY100NS20FD , STY105NM50N , STY139N65M5 , STY145N65M5 , STY34NB50 , MCH3333A .
History: 2SK2859 | IXFP18N60X
History: 2SK2859 | IXFP18N60X
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM15N10D | AGM15N10AP | AGM150P10S | AGM150P10D | AGM150P10AP | AGM14N10D | AGM14N10AP | AGM14N10A | AGM1405F | AGM1405C1 | AGM13T30D | AGM13T30A | AGM13T15D | AGM13T15C | AGM13T15A | AGM20P22AS
Popular searches
2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet


