STY100NS20FD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STY100NS20FD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: MAX247
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STY100NS20FD Datasheet (PDF)
sty100ns20fd.pdf

STY100NS20FDN-channel 200V - 0.022 - 100A - Max247MESH OVERLAY Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTY100NS20FD 200V
sty100nm60n.pdf

STY100NM60NN-channel 600 V, 0.028 typ., 98 A MDmesh II Power MOSFET in a Max247 packageDatasheet production dataFeaturesVDSSType RDS(on) max ID@ TJmaxSTY100NM60N 650 V
sty105nm50n.pdf

STY105NM50NN-channel 500 V, 0.019 typ., 110 A, MDmesh II Power MOSFET in a Max247 packageDatasheet - production dataFeaturesVDSS Order code@TjMAX RDS(on) max IDSTY105NM50N 550 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: P0920ATF | OSG55R074HSZF | FDC654P | SPD04N60C3 | 2SK1501 | NCE3020Q | PNMET20V06E
History: P0920ATF | OSG55R074HSZF | FDC654P | SPD04N60C3 | 2SK1501 | NCE3020Q | PNMET20V06E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440