STY34NB50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STY34NB50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
Тип корпуса: MAX247
Аналог (замена) для STY34NB50
STY34NB50 Datasheet (PDF)
..1. Size:203K st
sty34nb50.pdf
sty34nb50.pdf
STY34NB50N - CHANNEL 500V - 0.11 - 34 A - Max247PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTY34NB50 500 V
0.1. Size:268K st
sty34nb50f.pdf
sty34nb50f.pdf
STY34NB50FN - CHANNEL 500V - 0.11 - 34 A - Max247PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTY34NB50F 500 V
Другие MOSFET... STWA45N65M5 , STWA57N65M5 , STWA88N65M5 , STY100NM60N , STY100NS20FD , STY105NM50N , STY139N65M5 , STY145N65M5 , RFP50N06 , MCH3333A , MCH3382 , MCH3421 , MCH3427 , MCH3481 , MCH3486 , MCH5837 , MCH5839 .
History: RU1Z200Q
History: RU1Z200Q
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor