STY34NB50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STY34NB50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: MAX247

Аналог (замена) для STY34NB50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STY34NB50 даташит

 ..1. Size:203K  st
 sty34nb50.pdf pdf_icon

STY34NB50

STY34NB50 N - CHANNEL 500V - 0.11 - 34 A - Max247 PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STY34NB50 500 V

 0.1. Size:268K  st
 sty34nb50f.pdf pdf_icon

STY34NB50

STY34NB50F N - CHANNEL 500V - 0.11 - 34 A - Max247 PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STY34NB50F 500 V

Другие IGBT... STWA45N65M5, STWA57N65M5, STWA88N65M5, STY100NM60N, STY100NS20FD, STY105NM50N, STY139N65M5, STY145N65M5, IRF1407, MCH3333A, MCH3382, MCH3421, MCH3427, MCH3481, MCH3486, MCH5837, MCH5839