Справочник MOSFET. MCH5839

 

MCH5839 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MCH5839
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.266 Ohm
   Тип корпуса: SOT-353 MCPH5
 

 Аналог (замена) для MCH5839

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCH5839 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  onsemi
mch5839.pdfpdf_icon

MCH5839

Ordering number : ENA2165MCH5839P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 20V, 1.5A, 266m , Single MCPH5 with Schottky DiodeFeatures Composite type with an P-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package facilitating high-density mounting Halogen free compliance [MOSFET] Low On-resistance RDS(on)1=205m (typ.)

 8.1. Size:62K  sanyo
mch5837.pdfpdf_icon

MCH5839

Ordering number : ENA0781A MCH5837SANYO SemiconductorsDATA SHEETMOSFET : N-Channel Silicon MOSFETSBD : Schottky Barrier DiodeMCH5837General-Purpose Switching DeviceApplicationsFeatures Composite type with an N-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode (SS10015M)contained in one package facilitating high-density mounting. [MOSFET] Low ON-resistance.

 9.1. Size:48K  sanyo
mch5802.pdfpdf_icon

MCH5839

Ordering number : ENN6961MCH5802MOSFET : P-Channel Silicon MOSFETSBD : Schottky Barrier DiodeMCH5802DC / DC Converter ApplicationsFeatures Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm(MCH3308) and a Schottky Barrier Diode (SBS006M) 2195contained in one package facilitating high-density[MCH5802]mounting.[MOSFET]0.3 0.15 Low ON-res

 9.2. Size:40K  sanyo
mch5805.pdfpdf_icon

MCH5839

Ordering number : ENN7125MCH5805MOSFET : P-Channel Silicon MOSFETSBD : Schottky Barrier DiodeMCH5805DC / DC Converter ApplicationsFeatures Package Dimensions Composite type with a P-channel sillicon MOSFET unit : mm(MCH3314) and a Schottky barrier diode (SB01-05) 2195contained in one package facilitating high-density[MCH5805]mounting.0.3 0.15[MOSFET]4 5 Low O

Другие MOSFET... STY34NB50 , MCH3333A , MCH3382 , MCH3421 , MCH3427 , MCH3481 , MCH3486 , MCH5837 , 2N60 , MCH6351 , MCH6353 , MCH6412 , MCH6429 , MCH6660 , MCH6661 , MCH6662 , MCH6663 .

History: BLP02N06-D | IRF241

 

 
Back to Top

 


 
.