MCP87050. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MCP87050

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для MCP87050

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCP87050 даташит

 ..1. Size:668K  microchip
 mcp87050.pdf pdf_icon

MCP87050

MCP87050 High-Speed N-Channel Power MOSFET Features Description Low Drain-to-Source On Resistance (RDS(ON)) The MCP87050 is an N-Channel power MOSFET in a popular PDFN 5 mm x 6 mm package. Advanced Low Total Gate Charge (QG) and Gate-to-Drain packaging and silicon processing technologies allow Charge (QGD) the MCP87050 to achieve a low QG for a given RDS(ON) Low Series Ga

 7.1. Size:616K  microchip
 mcp87055.pdf pdf_icon

MCP87050

MCP87055 High-Speed N-Channel Power MOSFET Features Description Low Drain-to-Source On Resistance (RDS(ON)) The MCP87055 device is an N-Channel power MOSFET in a popular PDFN 3.3 mm x 3.3 mm Low Total Gate Charge (QG) and Gate-to-Drain package. Advanced packaging and silicon processing Charge (QGD) technologies allow the MCP87055 to achieve a low QG Low Series Gate Resista

 8.1. Size:942K  microchip
 mcp87090.pdf pdf_icon

MCP87050

MCP87090 High-Speed N-Channel Power MOSFET Features Description Low Drain-to-Source On Resistance (RDS(ON)) The MCP87090 is an N-Channel power MOSFET in a Low Total Gate Charge (QG) and Gate-to-Drain popular PDFN 5 mm x 6 mm package, as well as a Charge (QGD) PDFN 3.3 mm x 3.3 mm package. Advanced Low Series Gate Resistance (RG) packaging and silicon processing technol

 8.2. Size:606K  microchip
 mcp87030.pdf pdf_icon

MCP87050

MCP87030 High-Speed N-Channel Power MOSFET Features Description Low Drain-to-Source On Resistance (RDS(ON)) The MCP87030 is an N-Channel power MOSFET in a popular PDFN 5 mm x 6 mm package. Advanced Low Total Gate Charge (QG) and Gate-to-Drain Charge (QGD) packaging and silicon processing technologies allow the MCP87030 to achieve a low QG for a given RDS(on) Low Series Ga

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MCH6662, MCH6663, MCH6664, MCP04N60, MCP04N65, MCP87018, MCP87022, MCP87030, IRFZ46N, MCP87055, MCP87090, MCP87130, MCPF04N60, MCPF04N65, MCPF05N60B, MCPF08N60, MCQ4822