Справочник MOSFET. SPN10T10

 

SPN10T10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SPN10T10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220F

 Аналог (замена) для SPN10T10

 

 

SPN10T10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:291K  syncpower
 spn10t10.pdf

SPN10T10 SPN10T10

SPN10T10 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS Powered System The SPN10T10 is the N-Channel logic enhancement mode DC/DC Converter power field effect transistor which is produced using super Load Switch high cell density DMOS trench technology. The SPN10T10 has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using eith

 9.1. Size:177K  syncpower
 spn1012.pdf

SPN10T10 SPN10T10

SPN1012 N-Channel Enhancement Mode MOSFETDESCRIPTION APPLICATIONS Drivers : Relays/Solenoids/Lamps/Hammers The SPN1012 is the N-Channel enhancement mode Power Supply Converter Circuits power field effect transistors are produced using high cell Load/Power Switching Cell Phones, Pagers density , DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to mi

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top