Справочник MOSFET. SPN50T10

 

SPN50T10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPN50T10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO-220-3L
 

 Аналог (замена) для SPN50T10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPN50T10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:285K  syncpower
 spn50t10.pdf pdf_icon

SPN50T10

SPN50T10 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS Powered System The SPN50T10 is the N-Channel logic enhancement mode DC/DC Converter power field effect transistor which is produced using super Load Switch high cell density DMOS trench technology. The SPN80T10has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters usin

Другие MOSFET... SPMT9200F , SPN05T10 , SPN09T10 , SPN1012 , SPN10T10 , SPN11T10 , SPN12T20 , SPN30T10 , AON7506 , SPN65T10 , SPN80T10 , SPP08P06P , SPP14N05 , SPP15P10P , SPP15P10PH , SPP15P10PL , SPP18P06PG .

History: CMRDM3590 | PSMN5R0-100PS

 

 
Back to Top

 


 
.