Справочник MOSFET. SPN80T10

 

SPN80T10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPN80T10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 115 nC
   trⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0071 Ohm
   Тип корпуса: TO-220-3L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SPN80T10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:285K  syncpower
 spn80t10.pdf pdf_icon

SPN80T10

SPN80T10 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS Powered System The SPN80T10 is the N-Channel logic enhancement mode DC/DC Converter power field effect transistor which is produced using super Load Switch high cell density DMOS trench technology. The SPN80T10has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters usin

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.