SPN80T10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SPN80T10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0071 Ohm
Тип корпуса: TO-220-3L
Аналог (замена) для SPN80T10
SPN80T10 Datasheet (PDF)
spn80t10.pdf

SPN80T10 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS Powered System The SPN80T10 is the N-Channel logic enhancement mode DC/DC Converter power field effect transistor which is produced using super Load Switch high cell density DMOS trench technology. The SPN80T10has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters usin
Другие MOSFET... SPN09T10 , SPN1012 , SPN10T10 , SPN11T10 , SPN12T20 , SPN30T10 , SPN50T10 , SPN65T10 , AO4407 , SPP08P06P , SPP14N05 , SPP15P10P , SPP15P10PH , SPP15P10PL , SPP18P06PG , SPP20N05L , SPP22N05 .
History: SPP22N05 | SFG10S10GF | AFN08N50T220FT | WMM80R1K5S | CJ2306 | HM4953C | IRFP350PBF
History: SPP22N05 | SFG10S10GF | AFN08N50T220FT | WMM80R1K5S | CJ2306 | HM4953C | IRFP350PBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c