SPN80T10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPN80T10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0071 Ohm

Тип корпуса: TO-220-3L

Аналог (замена) для SPN80T10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPN80T10 даташит

 ..1. Size:285K  syncpower
 spn80t10.pdf pdf_icon

SPN80T10

SPN80T10 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS Powered System The SPN80T10 is the N-Channel logic enhancement mode DC/DC Converter power field effect transistor which is produced using super Load Switch high cell density DMOS trench technology. The SPN80T10 has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters usin

Другие IGBT... SPN09T10, SPN1012, SPN10T10, SPN11T10, SPN12T20, SPN30T10, SPN50T10, SPN65T10, IRF530, SPP08P06P, SPP14N05, SPP15P10P, SPP15P10PH, SPP15P10PL, SPP18P06PG, SPP20N05L, SPP22N05