SPP22N05 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SPP22N05
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для SPP22N05
SPP22N05 Datasheet (PDF)
buz101s spp22n05.pdf

BUZ 101 SPreliminary dataSPP22N05SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175C operating temperaturePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 101 S 55 V 22 A 0.06 TO-220 AB Q67040-S4013-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25 C 22TC
Другие MOSFET... SPN80T10 , SPP08P06P , SPP14N05 , SPP15P10P , SPP15P10PH , SPP15P10PL , SPP18P06PG , SPP20N05L , CS150N03A8 , SPP77N05 , SPP80N05 , SPP80N05L , SPP80N06S-08 , SPP80P06P , SPP80P06PG , SPR80N03 , SPU07N20G .
History: 2N5019
History: 2N5019



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent