SPP22N05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SPP22N05
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SPP22N05 Datasheet (PDF)
buz101s spp22n05.pdf

BUZ 101 SPreliminary dataSPP22N05SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated 175C operating temperaturePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 101 S 55 V 22 A 0.06 TO-220 AB Q67040-S4013-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 25 C 22TC
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: P0465CD | R6535KNZ1 | BRF60R580C | VSE002N03MS-G | APT10026L2FL | HGN036N08S | 2SK3430-ZJ
History: P0465CD | R6535KNZ1 | BRF60R580C | VSE002N03MS-G | APT10026L2FL | HGN036N08S | 2SK3430-ZJ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent