SQ1431EH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ1431EH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для SQ1431EH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ1431EH даташит

 ..1. Size:169K  vishay
 sq1431eh.pdf pdf_icon

SQ1431EH

SQ1431EH www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) - 30 Definition RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.175 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.300 AEC-Q101 Qualifiedc ID (A) - 3 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Compliant

Другие IGBT... SPP80N06S-08, SPP80P06P, SPP80P06PG, SPR80N03, SPU07N20G, SPW55N80C3, SQ1420EEH, SQ1421EEH, IRF520, SQ1470AEH, SQ1470EH, SQ1539EH, SQ1563AEH, SQ1902AEL, SQ1912AEEH, SQ1912EEH, SQ2301ES