SQ1431EH - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SQ1431EH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
Аналог (замена) для SQ1431EH
SQ1431EH Datasheet (PDF)
sq1431eh.pdf
SQ1431EHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 30DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.175 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.300 AEC-Q101 QualifiedcID (A) - 3 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant
Другие MOSFET... SPP80N06S-08 , SPP80P06P , SPP80P06PG , SPR80N03 , SPU07N20G , SPW55N80C3 , SQ1420EEH , SQ1421EEH , IRF520 , SQ1470AEH , SQ1470EH , SQ1539EH , SQ1563AEH , SQ1902AEL , SQ1912AEEH , SQ1912EEH , SQ2301ES .
History: VBMB18R15S | HGP020NE4S | AP94T07GS-HF | AP9510GM | STP45N10F7 | OSG55R580DEF | STP45NF06
History: VBMB18R15S | HGP020NE4S | AP94T07GS-HF | AP9510GM | STP45N10F7 | OSG55R580DEF | STP45NF06
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
2sa992 | 2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022


