Справочник MOSFET. SQ1431EH

 

SQ1431EH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ1431EH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для SQ1431EH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ1431EH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  vishay
 sq1431eh.pdf pdf_icon

SQ1431EH

SQ1431EHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 30DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.175 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.300 AEC-Q101 QualifiedcID (A) - 3 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant

Другие MOSFET... SPP80N06S-08 , SPP80P06P , SPP80P06PG , SPR80N03 , SPU07N20G , SPW55N80C3 , SQ1420EEH , SQ1421EEH , CS150N03A8 , SQ1470AEH , SQ1470EH , SQ1539EH , SQ1563AEH , SQ1902AEL , SQ1912AEEH , SQ1912EEH , SQ2301ES .

History: AP6679GJ | IRFSZ25

 

 
Back to Top

 


 
.