SQ1470AEH - аналоги и даташиты транзистора

 

SQ1470AEH - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SQ1470AEH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для SQ1470AEH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ1470AEH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:273K  vishay
 sq1470aeh.pdf pdf_icon

SQ1470AEH

SQ1470AEHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.065 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.095 Material categorization:ID (A) 1.7for definitions of compliance please see Configuration Single w

 8.1. Size:164K  vishay
 sq1470eh.pdf pdf_icon

SQ1470AEH

SQ1470EHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 30DefinitionRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.065 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.095 AEC-Q101 QualifieddID (A) 2.8 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to R

Другие MOSFET... SPP80P06P , SPP80P06PG , SPR80N03 , SPU07N20G , SPW55N80C3 , SQ1420EEH , SQ1421EEH , SQ1431EH , IRFB31N20D , SQ1470EH , SQ1539EH , SQ1563AEH , SQ1902AEL , SQ1912AEEH , SQ1912EEH , SQ2301ES , SQ2303ES .

History: AP9930AGM | DHESJ11N65

 

 
Back to Top

 


 
.