Справочник MOSFET. SQ1470AEH

 

SQ1470AEH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQ1470AEH
   Маркировка: 9O
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363

 Аналог (замена) для SQ1470AEH

 

 

SQ1470AEH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:273K  vishay
 sq1470aeh.pdf

SQ1470AEH SQ1470AEH

SQ1470AEHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.065 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.095 Material categorization:ID (A) 1.7for definitions of compliance please see Configuration Single w

 8.1. Size:164K  vishay
 sq1470eh.pdf

SQ1470AEH SQ1470AEH

SQ1470EHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 30DefinitionRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.065 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.095 AEC-Q101 QualifieddID (A) 2.8 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to R

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top