SQ1470EH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ1470EH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для SQ1470EH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ1470EH даташит

 ..1. Size:164K  vishay
 sq1470eh.pdf pdf_icon

SQ1470EH

SQ1470EH www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 30 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.065 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 2.5 V 0.095 AEC-Q101 Qualifiedd ID (A) 2.8 100 % Rg and UIS Tested Configuration Single Compliant to R

 8.1. Size:273K  vishay
 sq1470aeh.pdf pdf_icon

SQ1470EH

SQ1470AEH www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 30 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.065 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 2.5 V 0.095 Material categorization ID (A) 1.7 for definitions of compliance please see Configuration Single w

Другие IGBT... SPP80P06PG, SPR80N03, SPU07N20G, SPW55N80C3, SQ1420EEH, SQ1421EEH, SQ1431EH, SQ1470AEH, STF13NM60N, SQ1539EH, SQ1563AEH, SQ1902AEL, SQ1912AEEH, SQ1912EEH, SQ2301ES, SQ2303ES, SQ2308BES