SQ1539EH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SQ1539EH
Маркировка: 9R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.6 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.85 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 1 nC
Время нарастания (tr): 18 ns
Выходная емкость (Cd): 14 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
SQ1539EH Datasheet (PDF)
sq1539eh.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SQ1539EHwww.vishay.comVishay SiliconixN-and P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETN-CHANNEL P-CHANNEL AEC-Q101 qualifiedVDS (V) 30 -30 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.280 0.940 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.380 1.800for definitions of compliance please seeID (
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
![SQ1539EH](https://alltransistors.com/images/us.png)
![SQ1539EH](https://alltransistors.com/images/es.png)
![SQ1539EH](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C