SQ1539EH - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SQ1539EH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.85 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
Аналог (замена) для SQ1539EH
SQ1539EH Datasheet (PDF)
sq1539eh.pdf

SQ1539EHwww.vishay.comVishay SiliconixN-and P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETN-CHANNEL P-CHANNEL AEC-Q101 qualifiedVDS (V) 30 -30 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.280 0.940 Material categorization:RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.380 1.800for definitions of compliance please seeID (
Другие MOSFET... SPR80N03 , SPU07N20G , SPW55N80C3 , SQ1420EEH , SQ1421EEH , SQ1431EH , SQ1470AEH , SQ1470EH , 8N60 , SQ1563AEH , SQ1902AEL , SQ1912AEEH , SQ1912EEH , SQ2301ES , SQ2303ES , SQ2308BES , SQ2308CES .
History: IPW60R090CFD7 | CEDM8004
History: IPW60R090CFD7 | CEDM8004



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107