SQ1563AEH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ1563AEH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для SQ1563AEH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ1563AEH даташит

 ..1. Size:289K  vishay
 sq1563aeh.pdf pdf_icon

SQ1563AEH

SQ1563AEH www.vishay.com Vishay Siliconix N-and P-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL 100 % Rg and UIS tested VDS (V) 20 -20 AEC-Q101 qualified c RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.280 0.490 Material categorization RDS(on) ( ) at VGS = 2.5 V 0.360 0.750 for definitions of compliance please see

Другие IGBT... SPU07N20G, SPW55N80C3, SQ1420EEH, SQ1421EEH, SQ1431EH, SQ1470AEH, SQ1470EH, SQ1539EH, 2N60, SQ1902AEL, SQ1912AEEH, SQ1912EEH, SQ2301ES, SQ2303ES, SQ2308BES, SQ2308CES, SQ2308ES