Справочник MOSFET. SQ1563AEH

 

SQ1563AEH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ1563AEH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для SQ1563AEH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ1563AEH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  vishay
 sq1563aeh.pdf pdf_icon

SQ1563AEH

SQ1563AEHwww.vishay.comVishay SiliconixN-and P-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETN-CHANNEL P-CHANNEL 100 % Rg and UIS testedVDS (V) 20 -20 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.280 0.490 Material categorization: RDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.360 0.750for definitions of compliance please see

Другие MOSFET... SPU07N20G , SPW55N80C3 , SQ1420EEH , SQ1421EEH , SQ1431EH , SQ1470AEH , SQ1470EH , SQ1539EH , IRF830 , SQ1902AEL , SQ1912AEEH , SQ1912EEH , SQ2301ES , SQ2303ES , SQ2308BES , SQ2308CES , SQ2308ES .

History: 2SK4212A-ZK | 2SK3153 | QM3004D | HGD093N12SL | FDD6632

 

 
Back to Top

 


 
.