Справочник MOSFET. SQ1563AEH

 

SQ1563AEH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ1563AEH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ1563AEH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  vishay
 sq1563aeh.pdf pdf_icon

SQ1563AEH

SQ1563AEHwww.vishay.comVishay SiliconixN-and P-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETN-CHANNEL P-CHANNEL 100 % Rg and UIS testedVDS (V) 20 -20 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.280 0.490 Material categorization: RDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.360 0.750for definitions of compliance please see

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: PMZB390UNE | PMN70XPE | TK4A50D | NTP2955 | BRF10N60 | LR024N | SMK0460D

 

 
Back to Top

 


 
.