Справочник MOSFET. SQ1563AEH

 

SQ1563AEH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SQ1563AEH
   Маркировка: 9Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.85 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 0.93 nC
   Время нарастания (tr): 21 ns
   Выходная емкость (Cd): 22 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363

 Аналог (замена) для SQ1563AEH

 

 

SQ1563AEH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:289K  vishay
 sq1563aeh.pdf

SQ1563AEH SQ1563AEH

SQ1563AEHwww.vishay.comVishay SiliconixN-and P-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETN-CHANNEL P-CHANNEL 100 % Rg and UIS testedVDS (V) 20 -20 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.280 0.490 Material categorization: RDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.360 0.750for definitions of compliance please see

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top