SQ1912AEEH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SQ1912AEEH
Маркировка: 8R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1 nC
trⓘ - Время нарастания: 108 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
Аналог (замена) для SQ1912AEEH
SQ1912AEEH Datasheet (PDF)
sq1912aeeh.pdf
SQ1912AEEHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 20 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.280 100 % Rg testedRDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.360 Typical ESD protection: 800 VRDS(on) () at VGS = 1.8 V 0.450ID (A) 0.8 Material categorization: f
sq1912eeh.pdf
SQ1912EEHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 20DefinitionRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.280 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.360 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = 1.8 V 0.450 100 % Rg TestedID (A) 0.8 Ty
sq1912eh.pdf
SQ1912EHwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESSOT-363 TrenchFET power MOSFETSC-70 Dual (6 leads)S2 AEC-Q101 qualified4G2 100 % Rg tested5D1 Material categorization:6for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?999123D22G11S1 D1 D2Top ViewMarking Code: 9HPRODUC
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918