SQ2303ES. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ2303ES

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm

Тип корпуса: TO-236

Аналог (замена) для SQ2303ES

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ2303ES даташит

 ..1. Size:217K  vishay
 sq2303es.pdf pdf_icon

SQ2303ES

SQ2303ES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) - 30 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.170 AEC-Q101 Qualifiedc RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.370 100 % Rg and UIS Tested ID (A) - 2.5 Compliant to RoHS Directive 2

 9.1. Size:224K  vishay
 sq2308bes.pdf pdf_icon

SQ2303ES

SQ2308BES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) 60 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.170 AEC-Q101 Qualifiedc RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.220 100 % Rg and UIS Tested ID (A) 2.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/

 9.2. Size:108K  vishay
 sq2308es.pdf pdf_icon

SQ2303ES

SQ2308ES Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.155 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.205 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC ID (A) 2.3 AEC-Q101 Qualifiedc Configuration Single Find out more a

 9.3. Size:261K  vishay
 sq2308ces.pdf pdf_icon

SQ2303ES

SQ2308CES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) 60 AEC-Q101 Qualified c RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.150 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.164 Material categorization ID (A) 2.3 For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SQ1470AEH, SQ1470EH, SQ1539EH, SQ1563AEH, SQ1902AEL, SQ1912AEEH, SQ1912EEH, SQ2301ES, IRFB31N20D, SQ2308BES, SQ2308CES, SQ2308ES, SQ2309ES, SQ2310ES, SQ2315ES, SQ2318AES, SQ2318ES