SQ2310ES MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SQ2310ES
Маркировка: 8T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 4.5 nC
Время нарастания (tr): 8 ns
Выходная емкость (Cd): 80 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm
Тип корпуса: TO-236
SQ2310ES Datasheet (PDF)
sq2310es.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SQ2310ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 20DefinitionRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.030 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 2.5 V 0.034 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = 1.5 V 0.042 100 % Rg and UIS TestedID (A) 6 Co
sq2318es.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SQ2318ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055 AEC-Q101 QualifiedcID (A) 6 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoHS
sq2319es.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SQ2319ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 40DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.075 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.145 AEC-Q101 QualifiedcID (A) - 4.6 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Complia
sq2318aes.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SQ2318AESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = 10 V 0.031 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.036 Material categorization:ID (A) 8For definitions of compliance please see Configuration Singleww
sq2315es.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SQ2315ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 12 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 12DefinitionRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.050 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 2.5 V 0.068 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = - 1.8 V 0.092 100 % Rg and UIS TestedID (A) -
sq2319ads.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SQ2319ADSwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -40 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = -10 V 0.075 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.145 Material categorization: ID (A) -4.6for definitions of compliance please see Configuration Singlewww.vis
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .