IXFX44N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFX44N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 560 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXFX44N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFX44N60 даташит

 ..1. Size:104K  ixys
ixfx44n60 ixfk44n60.pdfpdf_icon

IXFX44N60

HiPerFETTM IXFX 44N60 VDSS = 600 V IXFK 44N60 ID25 = 44 A Power MOSFETs RDS(on) = 130 mW Single MOSFET Die trr 250 ns PLUS 247TM (IXFX) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 600 V (TAB) G VGS Continuous 20 V D VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C44 A TO-264 AA (IXFK) IDM TC = 25 C, pulse width limite

 7.1. Size:233K  ixys
ixfk44n80p ixfx44n80p.pdfpdf_icon

IXFX44N60

PolarTM IXFK44N80P VDSS = 800V HiperFETTM ID25 = 44A IXFX44N80P Power MOSFET RDS(on) 190m N-Channel Enhancement Mode TO-264 (IXFK) Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode G D S Symbol Test Conditions Maximum Ratings Tab VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 800 V PLUS247 (IXFX) VGSS Continuous 30

 7.2. Size:100K  ixys
ixfx44n55q.pdfpdf_icon

IXFX44N60

Advance Technical Information IXFK 44N55Q VDSS = 550 V HiPerFETTM IXFX 44N55Q ID25 = 44 A Power MOSFETs RDS(on) = 120 m Q-CLASS trr 250 ns Single MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg PLUS 247TM (IXFX) High dV/dt, Low t rr Symbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB) G D VDSS TJ = 25 C to 150 C 550

 7.3. Size:126K  ixys
ixfx44n50f ixfk44n50f.pdfpdf_icon

IXFX44N60

HiPerRFTM VDSS = 500V IXFK44N50F ID25 = 44A Power MOSFETs IXFX44N50F RDS(on) 120m F-Class MegaHertz Switching trr 250ns Single MOSFET Die TO-264 (IXFK) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr G D Tab S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C

Другие IGBT... IXFX180N07, IXFX180N085, IXFX180N10, IXFX24N100, IXFX26N90, IXFX28N60, IXFX32N50Q, IXFX34N80, 20N50, IXFX48N50Q, IXFX50N50, IXFX55N50, IXFX90N20Q, IXFX90N30, IXTA1N100, IXTA2N80, IXTH10N100