SQ2389ES. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ2389ES

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.094 Ohm

Тип корпуса: TO-236

Аналог (замена) для SQ2389ES

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ2389ES даташит

 ..1. Size:250K  vishay
 sq2389es.pdf pdf_icon

SQ2389ES

SQ2389ES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -40 AEC-Q101 qualified RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.094 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.188 Material categorization ID (A) -4.1 for definitions of compliance please see Configuration Single www.v

Другие IGBT... SQ2328ES, SQ2337ES, SQ2348ES, SQ2351ES, SQ2360EES, SQ2361EES, SQ2361ES, SQ2362ES, AO4468, SQ2398ES, SQ3410EV, SQ3418EEV, SQ3418EV, SQ3419EEV, SQ3426EEV, SQ3426EV, SQ3427EEV