Справочник MOSFET. SQ2389ES

 

SQ2389ES Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ2389ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.094 Ohm
   Тип корпуса: TO-236
 

 Аналог (замена) для SQ2389ES

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ2389ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  vishay
 sq2389es.pdf pdf_icon

SQ2389ES

SQ2389ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -40 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = -10 V 0.094 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.188 Material categorization:ID (A) -4.1for definitions of compliance please seeConfiguration Single www.v

Другие MOSFET... SQ2328ES , SQ2337ES , SQ2348ES , SQ2351ES , SQ2360EES , SQ2361EES , SQ2361ES , SQ2362ES , IRFP064N , SQ2398ES , SQ3410EV , SQ3418EEV , SQ3418EV , SQ3419EEV , SQ3426EEV , SQ3426EV , SQ3427EEV .

History: MSJU11N65 | CJU01N80 | NVR4501N | H4N65U | AO6432 | PHP83N03LT | CMLDM7120T

 

 
Back to Top

 


 
.