SQ2398ES. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ2398ES

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO-236

Аналог (замена) для SQ2398ES

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ2398ES даташит

 ..1. Size:255K  vishay
 sq2398es.pdf pdf_icon

SQ2398ES

SQ2398ES www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 100 AEC-Q101 qualified c RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.300 100 % Rg and UIS tested ID (A) 1.67 Material categorization Configuration Single for definitions of compliance please see Package SOT-23 www.vishay.com/d

Другие IGBT... SQ2337ES, SQ2348ES, SQ2351ES, SQ2360EES, SQ2361EES, SQ2361ES, SQ2362ES, SQ2389ES, IRF730, SQ3410EV, SQ3418EEV, SQ3418EV, SQ3419EEV, SQ3426EEV, SQ3426EV, SQ3427EEV, SQ3427EV