Справочник MOSFET. SQ2398ES

 

SQ2398ES Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ2398ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-236
 

 Аналог (замена) для SQ2398ES

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ2398ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  vishay
 sq2398es.pdf pdf_icon

SQ2398ES

SQ2398ESwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 100 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 100 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = 10 V 0.300 100 % Rg and UIS testedID (A) 1.67 Material categorization: Configuration Singlefor definitions of compliance please see Package SOT-23www.vishay.com/d

Другие MOSFET... SQ2337ES , SQ2348ES , SQ2351ES , SQ2360EES , SQ2361EES , SQ2361ES , SQ2362ES , SQ2389ES , BS170 , SQ3410EV , SQ3418EEV , SQ3418EV , SQ3419EEV , SQ3426EEV , SQ3426EV , SQ3427EEV , SQ3427EV .

History: 2N7002SESGP | P7006BL | FHD4N65E | NTMFS5C456NL | PB5A2BX

 

 
Back to Top

 


 
.