Справочник MOSFET. SQ3418EV

 

SQ3418EV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SQ3418EV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для SQ3418EV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ3418EV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  vishay
 sq3418ev.pdf pdf_icon

SQ3418EV

SQ3418EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 AEC-Q101 qualified dRDS(on) () at VGS = 10 V 0.032 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.042 Material categorization: ID (A) 8for definitions of compliance please see Configuration Singlewww.vi

 7.1. Size:210K  vishay
 sq3418eev.pdf pdf_icon

SQ3418EV

SQ3418EEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 40DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.032 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.048 Typical ESD Protection 800 VID (A) 8 AEC-Q101 QualifieddConfiguration Single 100 % Rg an

 8.1. Size:84K  vishay
 sq3418aeev.pdf pdf_icon

SQ3418EV

Work-In-ProgressSQ3418AEEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 40 Typical ESD protection 800 VRDS(on) () at VGS = 10 V 0.032 AEC-Q101 qualifieddRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.042 100 % Rg and UIS testedID (A) 8 Material categorization:Configuration Singl

 9.1. Size:209K  vishay
 sq3419eev.pdf pdf_icon

SQ3418EV

SQ3419EEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 40 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 40 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.050 AEC-Q101 QualifieddRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.078 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 7.4 Typical ESD Protection 800 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SQ2360EES , SQ2361EES , SQ2361ES , SQ2362ES , SQ2389ES , SQ2398ES , SQ3410EV , SQ3418EEV , IRF740 , SQ3419EEV , SQ3426EEV , SQ3426EV , SQ3427EEV , SQ3427EV , SQ3442EV , SQ3456BEV , SQ3456EV .

History: UFZ24NL-TA3 | 2SK2923 | CJU04N65

 

 
Back to Top

 


 
.