SQ3426EEV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SQ3426EEV
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
Аналог (замена) для SQ3426EEV
SQ3426EEV Datasheet (PDF)
sq3426eev.pdf

SQ3426EEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60DefinitionRDS(on) () at VGS = 10 V 0.042 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.063 Typical ESD Protection 800 VID (A) 7 AEC-Q101 QualifiedConfiguration Single 100 % Rg and U
sq3426ev.pdf

SQ3426EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.042 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.063 Material categorization: ID (A) 7for definitions of compliance please see Configuration Singlewww.vish
sq3426aeev.pdf

SQ3426AEEVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 Typical ESD protection 800 V HBMRDS(on) () at VGS = 10 V 0.042 AEC-Q101 qualifiedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.063 100 % Rg and UIS testedID (A) 7 Material categorization: Configuration Singlefor definit
sq3427ev.pdf

SQ3427EVwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 AEC-Q101 qualified cRDS(on) () at VGS = -10 V 0.095 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.135 Material categorization:ID (A) -5.3for definitions of compliance please see Configuration Sing
Другие MOSFET... SQ2361ES , SQ2362ES , SQ2389ES , SQ2398ES , SQ3410EV , SQ3418EEV , SQ3418EV , SQ3419EEV , 20N60 , SQ3426EV , SQ3427EEV , SQ3427EV , SQ3442EV , SQ3456BEV , SQ3456EV , SQ3457EV , SQ3460EV .
History: BSO300N03S | 2SK4076-ZK | 2P829J
History: BSO300N03S | 2SK4076-ZK | 2P829J



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627